磁盤和內(nèi)存的區(qū)別
現(xiàn)如今隨著手機(jī)的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時(shí)代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機(jī)的存儲就陷入了茫然，下面就跟著學(xué)習(xí)啦小編一起來看看吧。
手機(jī)/電腦的內(nèi)存和存儲
于計(jì)算機(jī)組成原理來分析：手機(jī)和電腦并沒有本質(zhì)的區(qū)別，主體結(jié)構(gòu)依然為輸入設(shè)備、存儲器、運(yùn)算器、控制器和輸出設(shè)備，至于外圍的存儲設(shè)備實(shí)際只是一個(gè)輔助，所以稱之為輔助存儲器，只是因?yàn)槿藗儗τ诮Y(jié)果的更多需求，所以它又成為人們似乎“看得著、摸得見”的最重要組成部分--存儲。
計(jì)算機(jī)的組成原理里面這樣介紹計(jì)算機(jī)的存儲器：存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計(jì)算機(jī)來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)存儲器，而諸如硬盤、SSD等都為輔助存儲器。
套用網(wǎng)絡(luò)上這樣一個(gè)關(guān)于內(nèi)存和存儲的定義，大家可能再也不會弄混淆了：你口里吃花生就CPU在處理數(shù)據(jù)，硬盤容量大小就是你的口袋大小(能放多少花生)，內(nèi)存大小就是你的手的大小(一次能抓多少出來)。
現(xiàn)如今，無論是手機(jī)還是電腦內(nèi)存都使用了DRAM存儲技術(shù)。DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
至于存儲方面，現(xiàn)如今主要包含兩大類技術(shù)：HDD(Hard Disc Drive)和NAND Flash，關(guān)于HDD在這里就不做過多介紹。NAND Flash全名為Flash Memory，屬于非易失性存儲設(shè)備(Non-volatile Memory Device)，F(xiàn)lash的內(nèi)部存儲是MOSFET，里面有個(gè)懸浮門(Floating Gate)，是真正存儲數(shù)據(jù)的單元。數(shù)據(jù)在Flash內(nèi)存單元中是以電荷(electrical charge) 形式存儲的。存儲電荷的多少，取決于圖中的外部門(external gate)所被施加的電壓，其控制了是向存儲單元中沖入電荷還是使其釋放電荷。而數(shù)據(jù)的表示，以所存儲的電荷的電壓是否超過一個(gè)特定的閾值Vth來表示。
對于數(shù)據(jù)的表示，單個(gè)存儲單元中內(nèi)部所存儲電荷的電壓，和某個(gè)特定的閾值電壓Vth，相比，如果大于此Vth值，就是表示1，反之，小于Vth，就表示0;對于nand Flash的數(shù)據(jù)的寫入1，就是控制External Gate去充電，使得存儲的電荷夠多，超過閾值Vth，就表示1了。而對于寫入0，就是將其放電，電荷減少到小于Vth，就表示0了。
DRAM和NAND的單位
以DRAM內(nèi)存顆粒為例，其存儲組織結(jié)構(gòu)為深度(Depth)加上位寬(Width)，下面我們以美光官方的一份內(nèi)存顆粒文檔為大家解析，例如編號為MT40A1G16HBA-083E的內(nèi)存顆粒，其深度(Depth)和位寬(Width)分別為1Gb和16，容量顯然為16Gb，關(guān)于內(nèi)存顆粒的容量我們這樣解釋下大家可能會更好理解一些。
我們把MT40A1G16HBA-083E比作一個(gè)國家，這個(gè)國家有16個(gè)城市，每個(gè)城市有1024x1024x1024(1G=1024M，1M=1024K，1K=1024)個(gè)家庭，那么這個(gè)國家總共就會有16x1024x1024x1024個(gè)家庭，又假如每個(gè)城市都設(shè)置一個(gè)城門，每次只能放行一個(gè)家庭，那么這個(gè)國家每次都多只能放行16個(gè)家庭。
而現(xiàn)在無論是桌面PC還是手機(jī)基本已經(jīng)進(jìn)入了64bit時(shí)代，處理器每次吞吐數(shù)據(jù)的單位為64，也就是說處理器一次需要抽調(diào)64個(gè)家庭，那么怎么辦呢?于是我們就將多個(gè)國家聯(lián)合起來，對于一個(gè)擁有16個(gè)城市的國家而言，那么只需要4個(gè)國家就可以滿足處理器的需求。不過如果對于一些小國只有4個(gè)或者8個(gè)城市的，那么一次就需要16個(gè)國家聯(lián)合起來或者8個(gè)國家聯(lián)合起來才能夠滿足需求。
現(xiàn)在再來說說為什么DRAM或者NAND存儲顆粒不適用B而是用b來標(biāo)注呢?實(shí)際上稍微了解計(jì)算機(jī)原理的用戶應(yīng)該知道，現(xiàn)存的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)B(Byte)表示一個(gè)字節(jié)，而b(bit)表示1個(gè)位。對于單純1個(gè)bit的0或者1來說計(jì)算機(jī)的識別就是“是”或者“非”，無數(shù)個(gè)0或者1組織起來計(jì)算機(jī)并不會知道這代表著什么?而數(shù)據(jù)應(yīng)該怎么和計(jì)算機(jī)的0或者1對應(yīng)起來呢?于是就有了ACSII編碼，每一個(gè)字母或者符號都對應(yīng)一個(gè)ACSII編碼，這樣現(xiàn)實(shí)世界的語言就和計(jì)算機(jī)就完全對接上了。
ACSII編碼規(guī)定每一個(gè)符號占用的大小為8bit，簡稱一個(gè)字節(jié)(Byte)，于存儲而言1個(gè)字節(jié)才算基本的單位，所以文件的存儲就以Byte為最小單位。不過無論是DRAM還是NAND由于對接的計(jì)算機(jī)甚至是非計(jì)算機(jī)設(shè)備，其產(chǎn)品的存儲單位屬性并不一定是Byte，所以依然為bit標(biāo)注。
另外在數(shù)據(jù)流，例如網(wǎng)絡(luò)帶寬、USB帶寬、PCI-E帶寬，我們又會發(fā)現(xiàn)以b為單位，這是因?yàn)閷τ跀?shù)據(jù)傳輸而言，都是以通道流形式，就像上面的例子一樣一次只能放行一個(gè)家庭。而在數(shù)據(jù)傳輸過程中為了確保數(shù)據(jù)的安全還會加入一些校驗(yàn)數(shù)據(jù)在其中例如USB 3.0就采用了8b/10b的編碼方式(每傳輸8bit數(shù)據(jù)就需要加入2bit校驗(yàn)數(shù)據(jù))，這個(gè)時(shí)候如果再使用Byte作為單位顯然亂了章法，不合時(shí)宜。
3SLC、MLC、TLC NAND的區(qū)別
SLC--SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存
SLC技術(shù)特點(diǎn)是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數(shù)據(jù)時(shí)通過對浮置閘極的電荷加電壓，然后透過源極，即可將所儲存的電荷消除，通過這樣的方式，便可儲存1個(gè)信息單元，這種技術(shù)能提供快速的程序編程與讀取，不過此技術(shù)受限于Silicon efficiency的問題，必須要由較先進(jìn)的流程強(qiáng)化技術(shù)(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技術(shù)。
MLC--MLC英文全稱(Multi Level Cell——MLC)即多層式儲存
英特爾(Intel)在1997年9月最先開發(fā)成功MLC，其作用是將兩個(gè)單位的信息存入一個(gè)Floating
Gate(閃存存儲單元中存放電荷的部分)，然后利用不同電位(Level)的電荷，通過內(nèi)存儲存的電壓控制精準(zhǔn)讀寫。MLC通過使用大量的電壓等級，每 個(gè)單元儲存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較大。SLC架構(gòu)是0和1兩個(gè)值，而MLC架構(gòu)可以一次儲存4個(gè)以上的值，因此，MLC架構(gòu)可以有比較好的儲存密度。
TLC--TLC英文全稱(Trinary-Level Cell)即三層式儲存
TLC即3bit per cell，每個(gè)單元可以存放比MLC多1/2的數(shù)據(jù)，共八個(gè)充電值，所需訪問時(shí)間更長，因此傳輸速度更慢。TLC優(yōu)勢價(jià)格便宜，每百萬字節(jié)生產(chǎn)成本是最低的，但是壽命短，只有約1000次擦寫壽命。
正如上面的介紹，從SLC到MLC再到TLC，cell對于電壓的精確控制更高，這直接導(dǎo)致TLC的壽命下降到只有1000次PE，而對應(yīng)的SLC和MLC分別為10000+和3000，相對來說TLC的耐久度顯著下降。TLC的另外一個(gè)劣勢就是數(shù)據(jù)的讀寫效率，在SLC時(shí)代，1個(gè)cell一次只需要讀取/寫入1個(gè)bit，到MLC時(shí)代每次需要讀取/寫入2bit，而到TLC時(shí)代則上升到3bit，很顯然其性能受到電壓控制的程序復(fù)雜度會變慢，當(dāng)然由于工藝和主控的不斷升級，目前TLC已經(jīng)可以追平MLC產(chǎn)品。不過TLC耐久的硬傷短時(shí)間內(nèi)并無法得到有效解決，當(dāng)然TLC的耐久可以通過存儲設(shè)備的容量加大而均衡磨損，變相演唱了產(chǎn)品的使用壽命。
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