如何確定內(nèi)存故障

　　相信大家在碰到的電腦故障中，內(nèi)存是最常見的故障之一。本篇將以主流的DDR內(nèi)存在使用中遇到的常見故障，及與主板的兼容性問題作為重點，向大家詳細介紹一些較常見故障的判斷處理方法，一起來學(xué)習(xí)啦。

　　(1)內(nèi)存故障的判斷處理：

　　內(nèi)存故障雖多種多樣且嚴重時也會使電腦不能啟動，但與電源、CPU故障引起不能啟動的故障現(xiàn)象不同，在一般情況下它會用報警聲來提示。引起內(nèi)存報警的主要原因有：內(nèi)存芯片損壞、主板內(nèi)存插槽損壞、主板的內(nèi)存供電或相關(guān)電路存在故障，以及內(nèi)存與插槽接觸不良等。遇到此類故障一般用“替換法”就可很快確定故障部位。從上述故障原因中我們可以看出，引發(fā)故障的原因比較單純，故處理起來也比較簡單，可采用先除塵后用橡皮擦拭金手指等辦法即可予以排除。如果確系內(nèi)存芯片損壞的話，也就只有更換內(nèi)存條了。

　　(2)用兩(電腦沒聲音)條以上內(nèi)存遇到的故障：

　　有的時候，當(dāng)系統(tǒng)安裝兩(電腦沒聲音)條以上內(nèi)存時，會出現(xiàn)容量不但不增加，卻反而減少的現(xiàn)象，主要原因是由于內(nèi)存與主板的物理“Bank”支持數(shù)量不匹配而造成的。當(dāng)主板擁有4個內(nèi)存插槽且全部插滿的時候，出現(xiàn)故障的概率則會更高一些。并且，主板所支持的Bank數(shù)量與采用的芯片組有著直接的聯(lián)系。故在升級內(nèi)存時大家必須注意：并不是說主板具有4個內(nèi)存插槽，就可以支持4條內(nèi)存，還需查看內(nèi)存的“Bank”數(shù)與主板支持的物理“Bank”數(shù)是否匹配。另一方面，除了為支持雙通道而采用兩(電腦沒聲音)條內(nèi)存之外，建議大家還是使用單條大容量內(nèi)存為佳，以避免這種情況的發(fā)生。

　　(3)主板與內(nèi)存的兼容性故障：

　　早期出產(chǎn)的nForce2芯片組主板，雖然性能卓越、功能齊全，但該主板在使用Kingmax品牌的某些型號內(nèi)存時，會出現(xiàn)死機、自動重啟等故障現(xiàn)象。另外，某些品牌的主板雖安排有DIMM1、DIMM2、DIMM3共3個內(nèi)存插槽，可是，當(dāng)使用兩(電腦沒聲音)條同規(guī)格的內(nèi)存且分別插在DIMM1、DIMM2上之后，在安裝系統(tǒng)時會出現(xiàn)藍屏、死機現(xiàn)象，只有將內(nèi)存分別插入DIMM1、DIMM3問題才能解決。

　　上述這兩(電腦沒聲音)種情況，都是由內(nèi)存與主板的兼容性問題而引發(fā)的。前者是由于Kingmax內(nèi)存采用的Tiny BGA封裝形式，對主板的PGB設(shè)計及電氣性能要求較嚴格，而部分nForce2主板不太符合要求造成的。后者則純系主板設(shè)計存在問題。為了盡量消除這種兼容性問題，內(nèi)存和主板廠商在產(chǎn)品上市之前，都會做大量的兼容性測試工作。但是，由于電腦硬件產(chǎn)品數(shù)目繁多且更新速度奇快，它們之間仍然會存在兼容性問題的可能性，不過發(fā)生的幾率還是相當(dāng)小的。對于主板和內(nèi)存的兼容性問題，并無太好的解決方法。一般來說，也只有先嘗試升級最新版本的BIOS程序。如依然不能解決問題，則只能通過更換內(nèi)存或主板來解決了。

　　小知識

　　DDR內(nèi)存的指標(biāo)稱謂：

　　DDR內(nèi)存有兩(電腦沒聲音)種標(biāo)注方式，比如PC2100與DDR 266，其實兩(電腦沒聲音)者指的是同一種內(nèi)存指標(biāo)。所謂PC 2100 DDR是指峰值帶寬為2.1GB/s，而DDR 266是指內(nèi)存的工作頻率為266MHz，用公式266(MHz)×8(Byte)換算成帶寬則正好等于PC2100指標(biāo)，其余規(guī)格則依此類推。

　　DDR內(nèi)存在BIOS中的優(yōu)化設(shè)置：

　　目前在新型主板的BIOS中專門有DDR內(nèi)存的優(yōu)化設(shè)置選項，正確設(shè)置這些優(yōu)化參數(shù)，可以達到超頻和運行穩(wěn)定的目的。如在采用Phoenix BIOS的主板中可嘗試手動將內(nèi)存頻率對系統(tǒng)外頻的比值設(shè)定為120%，為了增加穩(wěn)定性和超頻的成功率，還可在“DDR Reference Voltage”的項目里(電腦自動關(guān)機)，適當(dāng)?shù)靥岣?.1V或0.2V的DDR內(nèi)存電壓。

　　而采用Award BIOS的主板，如要讓DDR266內(nèi)存超頻到DDR333使用，可在BIOS的“Frequence Voltage Control”里(電腦自動關(guān)機)手動選擇選擇“3∶4”的頻率比值。同樣為保證穩(wěn)定性和超頻成功，還可在“Add Voltage”選項里(電腦自動關(guān)機)手動調(diào)節(jié)內(nèi)存電壓。

　　內(nèi)存的邏輯“Bank”與物理“Bank”：

　　內(nèi)存數(shù)據(jù)是以“位”為單位寫入一個存儲矩陣列中，每個陣列單元被稱作CELL。因此，只要指定行列參數(shù)，便可準確定位到某一個CELL，這就是內(nèi)存芯片尋址的基本原理，而這個陣列就稱為內(nèi)存芯片的邏輯“Bank”。主板上每個內(nèi)存插槽被分成兩(電腦沒聲音)段，就是說有兩(電腦沒聲音)個“Bank”。以SDRAM為例，CPU到DIMM槽的接口位寬是64bit，這樣CPU一次會向內(nèi)存發(fā)送或讀取64bit的數(shù)據(jù)，那么這樣—個64bit的數(shù)據(jù)集合，便被稱為一個物理“Bank”。