在內(nèi)存中一個(gè)重要概念bank，在SDRAM內(nèi)存模組上，"bank 數(shù)"表示該內(nèi)存的物理存儲(chǔ)體的數(shù)量。Bank還表示一個(gè)SDRAM設(shè)備內(nèi)部的邏輯存儲(chǔ)庫的數(shù)量。具體怎么理解呢?

　　內(nèi)存bank有幾個(gè)意思

　　Bank (內(nèi)存庫) 在內(nèi)存行業(yè)里，Bank至少有三種意思，所以一定要注意。

　　1、在SDRAM內(nèi)存模組上，"bank 數(shù)"表示該內(nèi)存的物理存儲(chǔ)體的數(shù)量。(等同于"行"/Row)

　　2、Bank還表示一個(gè)SDRAM設(shè)備內(nèi)部的邏輯存儲(chǔ)庫的數(shù)量。(現(xiàn)在通常是4個(gè)bank)。

　　3、它還表示DIMM 或 SIMM連接插槽或插槽組，例如bank 1 或 bank A。這里的BANK是內(nèi)存插槽的計(jì)算單位(也叫內(nèi)存庫)，它是電腦系統(tǒng)與內(nèi)存之間數(shù)據(jù)總線的基本工作單位。只有插滿一個(gè)BANK，電腦才可以正常開機(jī)。舉個(gè)例子，奔騰系列的主板上，1個(gè)168線槽為一個(gè)BANK，而2個(gè)72線槽才能構(gòu)成一個(gè)BANK，所以72線內(nèi)存必須成對(duì)上。原因是，168線內(nèi)存的數(shù)據(jù)寬度是64位，而72線內(nèi)存是32位的。主板上的BANK編號(hào)從BANK0開始，必須插滿BANK0才能開機(jī)，BANK1以后的插槽留給日后升級(jí)擴(kuò)充內(nèi)存用，稱做內(nèi)存擴(kuò)充槽。

　　怎么理解內(nèi)存Bank含義

　　要講清這個(gè)問題，就要提到內(nèi)存的邏輯Bank，下面就給大家介紹一下物理Bank和邏輯Bank的概念。在介紹之前，我們先簡單看一下現(xiàn)在市場上的DRAM內(nèi)存產(chǎn)品.現(xiàn)在市場上的內(nèi)存主要有：SDRAM、DDR SDRAM及Rambus。其中Rambus內(nèi)存的控制器和前兩者不同，且內(nèi)部Bank和前兩者也不同，將在后面單獨(dú)介紹。先主要介紹SDRAM和DDR SDRAM的Bank問題，因?yàn)镾DRAM就內(nèi)核、Bank結(jié)構(gòu)而言，和DDR SDRAM沒有什么區(qū)別，這里作為一個(gè)整體來講。邏輯Bank及其結(jié)構(gòu)內(nèi)存芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的基本單位是bit(位)，而進(jìn)行尋址的基本單位則是Byte(字節(jié))，一個(gè)Byte就等于8bit。大家知道，在平面坐標(biāo)系中，要確定一個(gè)點(diǎn)就要先找到它的橫坐標(biāo)和縱坐標(biāo)。而在內(nèi)存中數(shù)據(jù)的定位也很相似，內(nèi)存中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)就是一個(gè)大的數(shù)據(jù)陣列，為了便于理解，我們把它假想成一個(gè)大的表格，前面我們提到的平面坐標(biāo)系中的點(diǎn)，在這里我們可以理解為經(jīng)過定位后的單元格，當(dāng)然在一個(gè)單元格中不是只有1bit的數(shù)據(jù)，而是由多個(gè)bit組成一個(gè)組放在單元格內(nèi)，這里一個(gè)單元格我們可以稱作一個(gè)組，這個(gè)單元格的位數(shù)也就是內(nèi)存邏輯Bank的位寬。在進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取時(shí)，先進(jìn)行行的選定，再進(jìn)行列的選定，最后再從這個(gè)單元格中讀取出所需要的數(shù)據(jù)。而這由許許多多的單元格組成的大表我們就可以理解成邏輯Bank，當(dāng)然因?yàn)橹圃旃に嚰皵?shù)據(jù)尋址的原因，不可能讓這個(gè)表格無限大，一般內(nèi)存芯片中都是將內(nèi)存容量分成幾個(gè)陣列來制造，即多邏輯Bank。隨著內(nèi)存芯片容量的不斷增加，邏輯Bank數(shù)量也在不斷增加，早期的16Mbit之類的芯片采用的還是兩個(gè)邏輯Bank的設(shè)計(jì)，現(xiàn)階段常見內(nèi)存芯片的Bank一般為4個(gè)(不包括Rambus)，這點(diǎn)大家可通過內(nèi)存條的編碼進(jìn)行識(shí)別。內(nèi)存芯片設(shè)計(jì)時(shí)在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只允許對(duì)一個(gè)邏輯Bank進(jìn)行操作(實(shí)際上內(nèi)存芯片的位寬就是邏輯Bank的位寬)，而不能對(duì)所有邏輯Bank同時(shí)操作。所以邏輯Bank的地址線是通用的，只要再有一個(gè)邏輯Bank編號(hào)加以區(qū)別就可以了。內(nèi)存芯片的位寬決定了一次能從它那里讀出多少數(shù)據(jù)，并不是內(nèi)存芯片里所有單元的數(shù)據(jù)能夠一次全部讀出。為了加深大家對(duì)邏輯Bank的理解，我們來看看一個(gè)單芯片的邏輯Bank示意圖這里不用過于注意結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)，只需要看看4個(gè)內(nèi)存陣列。從圖中可以很清楚地看到這個(gè)芯片是一個(gè)Bank數(shù)為4的芯片，其列和行分別為4096和2048，而邏輯位寬是4bit，將這三者相乘就是這個(gè)邏輯Bank的容量，這里是4096×2048×4 bit =32Mb。再乘以Bank的數(shù)量，則芯片的容量就可以算出來了，這里很顯然是4個(gè)Bank，那么芯片的容量就是128Mb了。用虛線框起來的就是一個(gè)完整的邏輯Bank?？梢娨粋€(gè)Bank由內(nèi)存陣列、傳感放大器、一個(gè)行解碼器、一個(gè)列解碼器組成。

　　物理Bank了解了邏輯Bank后，接下來我們簡單看看物理Bank，物理Bank的含義就是指內(nèi)存和主板北橋芯片之間傳遞數(shù)據(jù)的通道，自586以后的CPU數(shù)據(jù)總線均為64bit位寬，而CPU一次只能對(duì)一個(gè)物理Bank進(jìn)行訪問，所以一般情況下我們就把64bit作為一個(gè)物理Bank(Physical Bank)，在前面我們已經(jīng)講過了邏輯Bank，所以在這里我給大家講一下如何自己算出物理Bank，大家就會(huì)非常好理解了。由于CPU一次只能打開一個(gè)物理Bank，在單芯片上也只能打開一個(gè)邏輯Bank，這樣我們就知道邏輯Bank的位寬也就是單芯片的位寬了，我們把芯片的數(shù)據(jù)寬度和芯片的數(shù)量相乘再除以64就得到了內(nèi)存條的物理Bank數(shù)了，即內(nèi)存的Bank數(shù)=數(shù)據(jù)寬度×芯片數(shù)量/64?，F(xiàn)在大家初步明白了內(nèi)存的物理Bank和內(nèi)存的面數(shù)無關(guān)了吧?后面我還會(huì)舉例說明。在大概了解了SDRAM和DDR內(nèi)存的物理Bank及邏輯Bank之后。

　　下面我們來簡單了解一下Rambus的Bank情況。Rambus的Bank為了講解方便，下面以PC800 Rambus為例。Rambus不再采用SDRAM和DDR內(nèi)存的并聯(lián)技術(shù)，而是采用了更先進(jìn)的串聯(lián)技術(shù)。就現(xiàn)階段而言，PC800 Rambus使用400MHz的16位總線，在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可以在上升沿和下降沿同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)，實(shí)際操作頻率為400MHz×2=800MHz，理論帶寬為16bit×2×400MHz/8=1.6GB/s，再配合850主板芯片的雙通道模式，可以達(dá)到3.2GB/s的數(shù)據(jù)帶寬。這也是大家熟知的高帶寬，而它最重要的優(yōu)勢(shì)在于其邏輯Bank上，就現(xiàn)階段的主流 Rambus來說，其邏輯Bank數(shù)高達(dá)32個(gè)，擁有更多的Bank數(shù)則意味著具有較少的Bank沖突，尋址流更加短暫隨意。另外還可以提高尋址命中率和降低潛伏周期。當(dāng)然，更多的Bank也使Rambus的制作模具制造更復(fù)雜，也就增加了成本。于是RAMBUS隨后又推出了4i 架構(gòu)的DRDRAM──在每個(gè)顆粒芯片上只有4個(gè)Bank。

　　補(bǔ)充：內(nèi)存常見維護(hù)保養(yǎng)技巧

　　1.對(duì)于由灰塵引起的內(nèi)存金手指、顯卡氧化層故障，大家應(yīng)用橡皮或棉花沾上酒精清洗，這樣就不會(huì)黑屏了。

　　2.關(guān)于內(nèi)存混插問題，在升級(jí)內(nèi)存時(shí)，盡量選擇和你現(xiàn)有那條相同的內(nèi)存，不要以為買新的主流內(nèi)存會(huì)使你的電腦性能很多，相反可能出現(xiàn)很多問題。內(nèi)存混插原則：將低規(guī)范、低標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存插入第一內(nèi)存插槽(即DIMM1)中。

　　3.當(dāng)只需要安裝一根內(nèi)存時(shí)，應(yīng)首選和CPU插座接近的內(nèi)存插座，這樣做的好處是：當(dāng)內(nèi)存被CPU風(fēng)扇帶出的灰塵污染后可以清潔，而插座被污染后卻極不易清潔。

　　4.安裝內(nèi)存條，DIMM槽的兩旁都有一個(gè)卡齒，當(dāng)內(nèi)存缺口對(duì)位正確，且插接到位了之后，這兩個(gè)卡齒應(yīng)該自動(dòng)將內(nèi)存“咬”住。 DDR內(nèi)存金手指上只有一個(gè)缺口，缺口兩邊不對(duì)稱，對(duì)應(yīng)DIMM內(nèi)存插槽上的一個(gè)凸棱，所以方向容易確定。而對(duì)于以前的SDR而言，則有兩個(gè)缺口，也容易確定方向，不過SDR已經(jīng)漸漸淡出市場，了解一下也無妨;而拔起內(nèi)存的時(shí)候，也就只需向外搬動(dòng)兩個(gè)卡齒，內(nèi)存即會(huì)自動(dòng)從DIMM(或RIMM)槽中脫出。

　　相關(guān)閱讀：常用內(nèi)存條辨別真?zhèn)畏椒?/h2>

　　查看內(nèi)存標(biāo)簽：正品金士頓內(nèi)存標(biāo)簽印刷清晰規(guī)則，而假貨則明顯粗糙淺淡，字體顯得比較單薄。另外，真假金士頓內(nèi)存標(biāo)簽的排版規(guī)則也有很大出入，請(qǐng)仔細(xì)觀察。

　　查看內(nèi)存顆粒：通過圖片中金士頓內(nèi)存顆?？梢郧逦闯?，正品金士頓內(nèi)存顆粒印刷清晰，而假內(nèi)存的顆粒則非常暗淡，與正品形成鮮明對(duì)比。對(duì)于一款內(nèi)存，PCB電路板僅占內(nèi)存成本的百分之十左右，而內(nèi)存顆粒才是決定內(nèi)存價(jià)格的重點(diǎn)。因此，通常假貨的PCB基本也是正規(guī)代工廠制造，而顆粒則采用行話里的“白片”，就是我們所說的次品，價(jià)格低廉，但穩(wěn)定性和兼容性很差。

　　查看注冊(cè)商標(biāo)標(biāo)識(shí)：正品金士頓的注冊(cè)商標(biāo)“R”的周圍清楚的印有由"KINGSTON"英文字母組成的圓圈，而假貨則明顯胡亂仿制的一個(gè)圓框而已。還有一點(diǎn)，仔細(xì)觀察標(biāo)簽內(nèi)部的水印，假內(nèi)存水印和KINGSTON字體銜接處都有明顯的痕跡，證明是后印刷的，這在正品金士頓內(nèi)存中是不會(huì)出現(xiàn)的。

　　金手指辨認(rèn)：下為正品金士頓內(nèi)存的金手指。正品金士頓內(nèi)存的金手指色澤純正、紫色方框內(nèi)的金手指連接部位經(jīng)過鍍金;假冒金士頓內(nèi)存的金手指色澤略顯暗淡，紅色方框內(nèi)的金手指連接處為PCB板的銅片，并未鍍金。

　　PCB板上的字體辨認(rèn)：左為正品金士頓內(nèi)存。正品金士頓內(nèi)存的字體均勻，無明顯大小區(qū)別，并且有相關(guān)的認(rèn)證符號(hào)。假冒金士頓內(nèi)存的字體不一，無相關(guān)認(rèn)證符號(hào)。

　　K字標(biāo)簽：這是使用單反相機(jī)進(jìn)行微距拍攝，同時(shí)打開閃光燈拍攝真假標(biāo)簽，正品標(biāo)簽的鐳射圖案能看出密集的銀粉顆粒，K字并不明顯，背景呈藍(lán)色。而假冒標(biāo)簽的K字十分明顯，銀粉顆粒的密度較低。

　　翻轉(zhuǎn)角度查看防偽：正品金士頓內(nèi)存的鐳射防偽標(biāo)簽，通過變換角度能呈現(xiàn)出兩種圖案，第一種圖案為上半沿帶銀粉效果，下半沿呈半個(gè)K漬;第二種圖案為下半沿帶銀粉效果，上半沿呈半個(gè)K字。而假冒標(biāo)簽就只有一種圖案，就是整個(gè)呈現(xiàn)出來一個(gè)很明顯的K字。

　　查詢序列號(hào)：驗(yàn)證方式內(nèi)存產(chǎn)品編輯短信“M+產(chǎn)品SN序列號(hào)”發(fā)送至0212 333 0345

　　按照金士頓官方的說法，我輸入“M36785241571636”發(fā)到“02123330345”即可查詢內(nèi)存真?zhèn)?