從理論指標(biāo)來(lái)看，雙通道內(nèi)存技術(shù)具有相當(dāng)?shù)膬?yōu)勢(shì)。雙通道DDR400的理論帶寬為6 4GB/s，和英特爾的前端總線為800MHz的P4處理器及i865、i875芯片組完全匹配。下面是學(xué)習(xí)啦小編為大家整理的技巧，希望大家能夠從中有所收獲!

　　什么是內(nèi)存雙通道?

　　答:隨著高端處理器的推出，處理器對(duì)內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬要求越來(lái)越高，內(nèi)存帶寬成為系統(tǒng)越來(lái)越大的瓶頸.內(nèi)存廠商只要提高內(nèi)存的運(yùn)行頻率，就可以增加帶寬，但是由于受到晶體管本身的特性和制造技術(shù)的制約，內(nèi)存頻率不可能無(wú)限制地提升，所以在全新蹬內(nèi)存研發(fā)出來(lái)之前，雙通道內(nèi)存技術(shù)就成了一種可以有效地提高內(nèi)存帶寬的技術(shù)。它最大的優(yōu)勢(shì)在于只要更改內(nèi)存的控制方式，就可以在現(xiàn)有內(nèi)存的基礎(chǔ)上帶來(lái)內(nèi)存帶寬的提升。

　　從理論指標(biāo)來(lái)看，雙通道內(nèi)存技術(shù)具有相當(dāng)?shù)膬?yōu)勢(shì)。雙通道DDR400的理論帶寬為6 4GB/s，和英特爾的前端總線為800MHz的P4處理器及i865、i875芯片組完全匹配。前端總線為800MHz的P4平臺(tái)選用雙通道DDR400，與雙通道的內(nèi)存控制和管理機(jī)制及高帶寬有很大關(guān)系。

　　雙通道內(nèi)存技術(shù)原理?

　　答:雙通道內(nèi)存技術(shù)其實(shí)就是雙通道內(nèi)存控制技術(shù)，它能有效地提高內(nèi)存總帶寬，從而適應(yīng)新的微處理器的數(shù)據(jù)傳輸、處理的需要。雙通道DDR有兩個(gè)64bit內(nèi)存控制器，雙64bit內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個(gè)128bit內(nèi)存體系所提供的帶寬。

　　雙通道體系包含了兩個(gè)獨(dú)立的、具備互補(bǔ)性的智能內(nèi)存控制器，兩個(gè)內(nèi)存控制器都能夠并行運(yùn)作。例如，當(dāng)控制器B準(zhǔn)備進(jìn)行下一次存取內(nèi)存的時(shí)候，控制器A就在讀/寫(xiě)主內(nèi)存，反之亦然。兩個(gè)內(nèi)存控制器的這種互補(bǔ)“天性”可以讓有效等待時(shí)間縮減50%，因此雙通道技術(shù)使內(nèi)存的帶寬翻了一翻。它的技術(shù)核心在于：芯片組(北橋)可以在兩個(gè)不同的數(shù)據(jù)通道上分別尋址、讀取數(shù)據(jù)，RAM可以達(dá)到128bit的帶寬。