雖然學習啦小編從小就對看書感興趣，可是讓我看一本完全不了解的書可是一點都看不下去，學知識也是一樣，自己喜歡的不用別人督促，就能把它學的很好很扎實，自己不喜歡的學科呢，就要逼著自己學，而且效果并不好，興趣是最好的老師，不過正在上學還沒高考的可要認真學習每一門功課，考上大學后再選擇一個自己喜歡的專業(yè)。內(nèi)存時序設(shè)置學習啦小編是看不懂，相信總有人會明白的。

　　內(nèi)存時序設(shè)置

　　內(nèi)存參數(shù)的設(shè)置正確與否，將極大地影響系統(tǒng)的整體性能。下面我們將針對內(nèi)存關(guān)于時序設(shè)置參數(shù)逐一解釋，以求能讓大家在內(nèi)存參數(shù)設(shè)置中能有清晰的思路，提高電腦系統(tǒng)的性能。

　　涉及到的參數(shù)分別為：

　　CPC : Command Per Clock

　　tCL : CAS Latency Control

　　tRCD : RAS to CAS Delay

　　tRAS : Min RAS Active Timing

　　tRP : Row Precharge Timing

　　tRC : Row Cycle Time

　　tRFC : Row Refresh Cycle Time

　　tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)

　　tWR : Write Recovery Time

　　……及其他參數(shù)的設(shè)置

　　首 先，需要在BIOS中打開手動設(shè)置，在BIOS設(shè)置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設(shè)置中可能出現(xiàn)的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設(shè)為“Menual”(視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enable/Disable)，如果要調(diào)整內(nèi)存時序，應(yīng)該先打開 手動設(shè)置，之后會自動出現(xiàn)詳細的時序參數(shù)列表：

　　CPC : Command Per Clock

　　可選的設(shè)置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。

　　Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進行P-Bank的選擇(通過DIMM上CS片選信號進行)，然后才是L-Bank/行激活與列地址的選 擇。這個參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。

　　顯然，CPC越短越好。但當隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩(wěn)定性。因此當你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時間，才需要將此參數(shù)調(diào)長。目前的大部分主板都會自動設(shè)置這個參數(shù)。

　　該參數(shù)的默認值為Disable(2T)，如果玩家的內(nèi)存質(zhì)量很好，則可以將其設(shè)置為Enable(1T)。

　　tCL : CAS Latency Control(tCL)

　　可選的設(shè)置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。

　　一般我們在查閱內(nèi)存的時序參數(shù)時，如“3-4-4-8”這一類的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是第1個參數(shù)，即CL參數(shù)。

　　CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執(zhí)行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說 是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。

　　內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當請求觸發(fā)后，最初是 tRAS(Activeto Precharge Delay)，預充電后，內(nèi)存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS(Row Address Strobe )開始進行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過CAS訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進制地址。期間從CAS開始到CAS結(jié)束 就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。

　　這個參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要 的時鐘周期數(shù)。這個參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數(shù)據(jù)，因此在提醒大家把CAS延遲設(shè)為2或2.5的同 時，如果不穩(wěn)定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使內(nèi)存運行在更高的頻率，所以需要對內(nèi)存超頻時，應(yīng)該試著提高CAS延遲。

　　該參數(shù)對內(nèi)存性能的影響最大，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的內(nèi)存讀寫操作。CL值為2為會獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無法設(shè)為3。

　　tRCD : RAS to CAS Delay

　　可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

　　該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時序參數(shù)中的第2個參數(shù)，即第1個4。RAS to CAS Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時間"，數(shù)值越小，性能越好。對內(nèi)存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。在 JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時，可以提高系統(tǒng)性能。建議該值設(shè)置為3或2，但如果該值設(shè)置太低，同樣會導致系統(tǒng)不穩(wěn)定。該值為4時， 系統(tǒng)將處于最穩(wěn)定的狀態(tài)，而該值為5，則太保守。

　　如果你的內(nèi)存的超頻性能不佳，則可將此值設(shè)為內(nèi)存的默認值或嘗試提高tRCD值。

　　tRAS : Min RAS Active Timing

　　可選的設(shè)置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。

　　該值就是該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時序參數(shù)中的最后一個參數(shù)，即8。Min RAS Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內(nèi)存行有效至預充電的最短周期”，調(diào)整這個參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設(shè)在5-10之間。這個參數(shù)要根據(jù)實際情況而定，并 不是說越大或越小就越好。

　　如果tRAS的周期太長，系統(tǒng)會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會導致已被激活的行地址會更早的進入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太 短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應(yīng)該設(shè)置為7個時鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內(nèi)存錯誤 或系統(tǒng)死機，則應(yīng)該增大tRAS的值。

　　tRP : Row Precharge Timing(tRP)

　　可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。

　　該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時序參數(shù)中的第3個參數(shù)，即第2個4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內(nèi)存行地址控制器預充電時間"，預充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。

　　tRP用來設(shè)定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。tRP參數(shù)設(shè)置太長會導致所有的行激活延遲過長，設(shè)為2可以減少預充電時間，從而更快地激 活下一行。然而，想要把tRP設(shè)為2對大多數(shù)內(nèi)存都是個很高的要求，可能會造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作。對于桌面計算機 來說，推薦預充電參數(shù)的值設(shè)定為2個時鐘周期，這是最佳的設(shè)置。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將影響DDR 內(nèi)存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個時鐘周期。

　　一般說來，tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時獲取最佳的穩(wěn)定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內(nèi)存都無法使用2的值，需要超頻才可以達到該參數(shù)。

　　tRC : Row Cycle Time(tRC)

　　可選的設(shè)置：Auto，7-22，步幅值1。

　　Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期時間”，它是包括行單元預充電到激活在內(nèi)的整個過程所需要的最小的時鐘周期數(shù)。其計算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設(shè)置該參數(shù)之前，你應(yīng)該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時間過長，會因在完成整個時鐘周期后激活新的地址而 等待無謂的延時，而降低性能。然后一旦該值設(shè)置過小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。在這種情況下，仍會導致數(shù)據(jù)丟失和損壞。

　　因此，最好根據(jù)tRC = tRAS + tRP進行設(shè)置，如果你的內(nèi)存模塊的tRAS值是7個時鐘周期，而tRP的值為4個時鐘周期，則理想的tRC的值應(yīng)當設(shè)置為11個時鐘周期。

　　tRFC : Row Refresh Cycle Time

　　可選的設(shè)置：Auto，9-24，步幅值1。

　　Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期時間”，它是行單元刷新所需要的時鐘周期數(shù)。該值也表示向相同的bank中的另一個行單元兩次 發(fā)送刷新指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。

　　通常tRFC的值不能達到9，而10為最佳設(shè)置，17-19是內(nèi)存超頻建議值。建議從17開始依次遞減來測試該值。大多數(shù)穩(wěn)定值為tRC加上2-4個時鐘周期。

　　tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay)

　　可選的設(shè)置：Auto， 0-7，每級以1的步幅遞增。

　　Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時"。該值也表示向相同的bank中的同一個行單元兩次發(fā)送激活指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRRD值越小越好。

　　延遲越低，表示下一個bank能更快地被激活，進行讀寫操作。然而，由于需要一定量的數(shù)據(jù)，太短的延遲會引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。于桌面計算機來說，推薦 tRRD值設(shè)定為2個時鐘周期，這是最佳的設(shè)置，此時的數(shù)據(jù)膨脹可以忽視。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將 影響DDR內(nèi)存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRRD值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個時鐘周期。

　　tWR : Write Recovery Time

　　可選的設(shè)置：Auto，2，3。

　　Write Recovery Time (tWD)，表示“寫恢復延時”。該值說明在一個激活的bank中完成有效的寫操作及預充電前，必須等待多少個時鐘周期。這段必須的時鐘周期用來確保在預 充電發(fā)生前，寫緩沖中的數(shù)據(jù)可以被寫進內(nèi)存單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統(tǒng)性能，但可能導致數(shù)據(jù)還未被正確寫入到內(nèi)存單元中，就發(fā)生了預充電 操作，會導致數(shù)據(jù)的丟失及損壞。

　　如果你使用的是DDR200和266的內(nèi)存，建議將tWR值設(shè)為2;如果使用DDR333或DDR400，則將tWD值設(shè)為3。

　　tWTR : Write to Read Delay

　　可選的設(shè)置：Auto，1，2。

　　Write to Read Delay (tWTR)，表示“讀到寫延時”。三星公司稱其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的數(shù)據(jù)進入讀指令。它設(shè)定向DDR內(nèi)存模塊中的同一個單元中，在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘周期。

　　tWTR值為2在高時鐘頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。這種情況下，也使得內(nèi)存芯片運行于高速度下。換句話說，增加tWTR值，可以 讓內(nèi)容模塊運行于比其默認速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設(shè)為1;如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的 值設(shè)為1，如果系統(tǒng)不穩(wěn)定，則改為2。

　　tREF : Refresh Period

　　可選的設(shè)置：Auto， 0032-4708，其步進值非固定。

　　Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指內(nèi)存模塊的刷新周期。

　　先請看不同的參數(shù)在相同的內(nèi)存下所對應(yīng)的刷新周期(單位：微秒，即：一百萬分之一秒)。?號在這里表示該刷新周期尚無對應(yīng)的準確數(shù)據(jù)。

　　1552= 100mhz(?.??s)

　　2064= 133mhz(?.??s)

　　2592= 166mhz(?.??s)

　　3120= 200mhz(?.??s)

　　---------------------

　　3632= 100mhz(?.??s)

　　4128= 133mhz(?.??s)

　　4672= 166mhz(?.??s)

　　0064= 200mhz(?.??s)

　　---------------------

　　0776= 100mhz(?.??s)

　　1032= 133mhz(?.??s)

　　1296= 166mhz(?.??s)

　　1560= 200mhz(?.??s)

　　---------------------

　　1816= 100mhz(?.??s)

　　2064= 133mhz(?.??s)

　　2336= 166mhz(?.??s)

　　0032= 200mhz(?.??s)

　　---------------------

　　0388= 100mhz(15.6us)

　　0516= 133mhz(15.6us)

　　0648= 166mhz(15.6us)

　　0780= 200mhz(15.6us)

　　---------------------

　　0908= 100mhz(7.8us)

　　1032= 133mhz(7.8us)

　　1168= 166mhz(7.8us)

　　0016= 200mhz(7.8us)

　　---------------------

　　1536= 100mhz(3.9us)

　　2048= 133mhz(3.9us)

　　2560= 166mhz(3.9us)

　　3072= 200mhz(3.9us)

　　---------------------

　　3684= 100mhz(1.95us)

　　4196= 133mhz(1.95us)

　　4708= 166mhz(1.95us)

　　0128= 200mhz(1.95us)

　　如果采用Auto選項，主板BIOS將會查詢內(nèi)存上的一個很小的、名為“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存儲了內(nèi)存條的各種相關(guān)工作參數(shù)等信息，系統(tǒng)會自動根據(jù)SPD中的數(shù)據(jù)中最保守的設(shè)置來確定內(nèi)存的運行參數(shù)。如過要追求最優(yōu)的性能，則需 手動設(shè)置刷新周期的參數(shù)。一般說來，15.6us適用于基于128兆位內(nèi)存芯片的內(nèi)存(即單顆容量為16MB的內(nèi)存)，而7.8us適用于基于256兆位 內(nèi)存芯片的內(nèi)存(即單顆容量為32MB的內(nèi)存)。注意，如果tREF刷新周期設(shè)置不當，將會導致內(nèi)存單元丟失其數(shù)據(jù)。

　　另外根據(jù)其他的資料顯示，內(nèi)存存儲每一個bit，都需要定期的刷新來充電。不及時充電會導致數(shù)據(jù)的丟失。DRAM實際上就是電容器，最小的存儲單位是 bit。陣列中的每個bit都能被隨機地訪問。但如果不充電，數(shù)據(jù)只能保存很短的時間。因此我們必須每隔15.6us就刷新一行。每次刷新時數(shù)據(jù)就被重寫 一次。正是這個原因DRAM也被稱為非永久性存儲器。一般通過同步的RAS-only的刷新方法(行刷新)，每行每行的依次刷新。早期的EDO內(nèi)存每刷新 一行耗費15.6us的時間。因此一個2Kb的內(nèi)存每列的刷新時間為15.6?s x2048行=32ms。

　　tREF和tRAS一樣，不是一個精確的數(shù)值。通常15.6us和3.9us都能穩(wěn)定運行，1.95us會降低內(nèi)存帶寬。很多玩家發(fā)現(xiàn)，如果內(nèi)存質(zhì)量優(yōu)良，當tREF刷新周期設(shè)置為3120=200mhz(?.??s)時，會得到最佳的性能/穩(wěn)定性比。