手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存RAM是什么

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　　手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存RAM是什么

　　目前市面上手機(jī)的內(nèi)存大多是1GB、2GB、3GB的，512MB的已經(jīng)很少見(jiàn)了，一句話概況就是1G夠用(app程序裝太多的話會(huì)出現(xiàn)卡頓現(xiàn)象)，2G玩爽，3G土豪，4GB爽歪歪了。OPPO R7、OPPO R7plus、華為P8等都是3GB RAM。OPPO R7s、三星GALAXY S6 Edge+、三星GALAXY Note 5都是用的4GB RAM。

　　OPPO R7s 4GBRAM運(yùn)行內(nèi)存

　　我們都知道，電子設(shè)備都要牽扯到一個(gè)叫做延遲的概念，在內(nèi)存身上就是時(shí)序，也可以稱之為CL延遲，CL是CAS Latency的縮寫，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，簡(jiǎn)單的說(shuō)，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。

　　通常情況下，我們用4個(gè)連著的阿拉伯?dāng)?shù)字來(lái)表示一個(gè)內(nèi)存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個(gè)數(shù)字最為重要，它表示的是CAS Latency，也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間。第二個(gè)數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲，接下來(lái)的兩個(gè)數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時(shí)間和Act-to-Precharge延遲。而第四個(gè)數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個(gè)。

　　綜合這三點(diǎn)來(lái)看手機(jī)內(nèi)存，你就會(huì)有更深一層的認(rèn)識(shí)，盲目的追求所謂的大內(nèi)存很多時(shí)候是沒(méi)用的，當(dāng)內(nèi)存資源充足的時(shí)候，內(nèi)存技術(shù)、帶寬、CL延遲才是影響手機(jī)流暢與否的決定性因素。

　　不過(guò)話說(shuō)回來(lái)，對(duì)于內(nèi)存占用率較高的Android手機(jī)而言，1GB容量只能算是及格，隨便用用就會(huì)占用85%以上的空間，如果內(nèi)存容量被占滿的話，手機(jī)流暢度會(huì)大打折扣。所以就目前來(lái)看，2GB容量運(yùn)存是一個(gè)比較合理的數(shù)值，不至于被占滿也不至于太浪費(fèi)。