安卓m修復(fù)內(nèi)存泄漏了嗎

　　安卓m修復(fù)內(nèi)存泄漏了嗎?內(nèi)存泄漏簡(jiǎn)單地說就是申請(qǐng)了一塊內(nèi)存空間，使用完畢后沒有釋放掉。它的一般表現(xiàn)方式是程序運(yùn)行時(shí)間越長(zhǎng)，占用內(nèi)存越多，最終用盡全部?jī)?nèi)存，整個(gè)系統(tǒng)崩潰。由程序申請(qǐng)的一塊內(nèi)存，且沒有任何一個(gè)指針指向它，那么這塊內(nèi)存就泄露了。下面是學(xué)習(xí)啦小編整理的一些相關(guān)的信息，希望對(duì)大家有幫助!

　　安卓m修復(fù)內(nèi)存泄漏了嗎?

　　Android M：延續(xù)Android L

　　去年，谷歌9月份發(fā)布了安卓5.0 L開發(fā)者預(yù)覽版，本次版本最大的變化在于UI用戶界面的設(shè)計(jì)，新的Android 5.0 Lollipop采用全新的 “Material Design”設(shè)計(jì)規(guī)范，界面更加簡(jiǎn)潔、色彩更加豐富，動(dòng)畫效果更加合理生動(dòng)?？v觀安卓各版本升級(jí)，Android L是安卓系統(tǒng)有史以來比較大的一個(gè)更新，主要的新特性有全新的 Material Design風(fēng)格用戶界面，新的通知消息系統(tǒng)，多任務(wù)界面有著全新的Google Now卡片風(fēng)格，64位編譯器，默認(rèn)的ART運(yùn)行模式，同時(shí)還有Project Volta省電模式。不可否認(rèn)，這些都會(huì)在Android M 6.0系統(tǒng)中保留下來，同時(shí)會(huì)有更好的表現(xiàn)。Android M會(huì)給我們帶來什么值得期待的新功能呢

　　 Android M發(fā)布在即

　　Android M：修復(fù)內(nèi)存泄露問題

　　月底發(fā)布的安卓M是否能解決安卓L的“歷史遺留問題”呢?

　　什么是內(nèi)存泄漏?內(nèi)存泄漏簡(jiǎn)單地說就是申請(qǐng)了一塊內(nèi)存空間，使用完畢后沒有釋放掉。它的一般表現(xiàn)方式是程序運(yùn)行時(shí)間越長(zhǎng)，占用內(nèi)存越多，最終用盡全部?jī)?nèi)存，整個(gè)系統(tǒng)崩潰。由程序申請(qǐng)的一塊內(nèi)存，且沒有任何一個(gè)指針指向它，那么這塊內(nèi)存就泄露了。安卓L 5.0系統(tǒng)是一次意義非凡的更新，然而安卓5.0帶來了諸多新特性的同時(shí)，也引入了很多問題。其中最令人頭疼的一個(gè)問題，莫過就是內(nèi)存泄漏的Bug——安卓5.0的系統(tǒng)RAM占用會(huì)隨著開機(jī)使用時(shí)間增長(zhǎng)而大幅增加，最后App會(huì)不斷重載乃至崩潰。安卓5.1.1的出現(xiàn)，讓不少安卓黨對(duì)其是否能成功解決內(nèi)存泄漏問題心生期待。不過，細(xì)心的用戶發(fā)現(xiàn)，在安卓5.1.1更新日志的性能優(yōu)化板塊中，并沒有發(fā)現(xiàn)已修復(fù)該問題的說明。

　　由于谷歌已經(jīng)承諾將在不久的未來解決這個(gè)問題，我們可以肯定隨著安卓 M 6.0系統(tǒng)的發(fā)布，內(nèi)存泄露問題會(huì)有上佳的解決方案。

　　 安卓L的內(nèi)存泄漏問題