亚洲欧美精品沙发,日韩在线精品视频,亚洲Av每日更新在线观看,亚洲国产另类一区在线5

<pre id="hdphd"></pre>

  • <div id="hdphd"><small id="hdphd"></small></div>
      學(xué)習(xí)啦 > 學(xué)習(xí)電腦 > 電腦硬件知識 > 內(nèi)存知識 > 內(nèi)存條芯片的參數(shù)怎么看

      內(nèi)存條芯片的參數(shù)怎么看

      時間: 沈迪豪908 分享

      內(nèi)存條芯片的參數(shù)怎么看

        內(nèi)存條芯片的參數(shù)是什么意思你們清楚嗎?不知道的話跟著學(xué)習(xí)啦小編一起來學(xué)習(xí)了解內(nèi)存條芯片的參數(shù)是什么意思。

        內(nèi)存條芯片的參數(shù)介紹

        整個DDR SDRAM顆粒的編號,一共是由14組數(shù)字或字母組成,他們分別代表內(nèi)存的一個重要參數(shù),了解了他們,就等于了解了現(xiàn)代內(nèi)存。

        顆粒編號解釋如下:

        1. HY是HYNIX的簡稱,代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。

        2. 內(nèi)存芯片類型:(5D=DDR SDRAM)

        3. 處理工藝及供電:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

        4. 芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)

        5. 內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu):(4=4顆芯片;8=8顆芯片;16=16顆芯片;32=32顆芯片)

        6. 內(nèi)存bank(儲蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)

        7. 接口類型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)

        8. 內(nèi)核代號:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)

        9. 能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型)

        10. 封裝類型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))

        11. 封裝堆棧:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))

        12. 封裝原料:(空白=普通;P=鉛;H=鹵素;R=鉛+鹵素)

        13. 速度:(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)

        14. 工作溫度:(I=工業(yè)常溫(-40 - 85度);E=擴展溫度(-25 - 85度))

        由上面14條注解,我們不難發(fā)現(xiàn),其實最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數(shù)字的實際含義,就能輕松實現(xiàn)對使用現(xiàn)代DDR SDRAM內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品進行辨別。尤其是第13位數(shù)字,它將明確的告訴消費者,這款內(nèi)存實際的最高工作狀態(tài)是多少。假如,消費者買到一款這里顯示為L的產(chǎn)品(也就是說,它只支持DDR 200的工作頻率),那么就算內(nèi)存條上貼的標(biāo)簽或者包裝盒上吹的再好,它也只是一款低檔產(chǎn)品。

        常見SDRAM 編號識別

        維修SDRAM內(nèi)存條時,首先要明白內(nèi)存芯片編號的含義,在其編號中包括以下幾個內(nèi)容:廠商名稱(代號)、容量、類型、工作速度等,有些還有電壓和一些特殊標(biāo)志等。通過對這些參數(shù)的分析比較,就可以正確認識和理解該內(nèi)存條的規(guī)格以及特點。

        (1)世界主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠商的前綴標(biāo)志如下:

        ▲ HY HYUNDAI ------- 現(xiàn)代

        ▲ MT Micron ------- 美光

        ▲ GM LG-Semicon

        ▲ HYB SIEMENS ------ 西門子

        ▲ HM Hitachi ------ 日立

        ▲ MB Fujitsu ------ 富士通

        ▲ TC Toshiba ------ 東芝

        ▲ KM Samsung ------ 三星

        ▲ KS KINGMAX ------ 勝創(chuàng)

        (2)內(nèi)存芯片速度編號解釋如下:

        ★ -7 標(biāo)記的SDRAM 符合 PC143 規(guī)范,速度為7ns.

        ★ –75標(biāo)記的SDRAM 符合PC133規(guī)范,速度為7.5ns.

        ★ –8標(biāo)記的SDRAM 符合PC125規(guī)范,速度為8ns.

        ★ –7k/-7J/10P/10S標(biāo)記的SDRAM 符合PC100規(guī)范,速度為10ns.

        ★ –10K標(biāo)記的SDRAM符合PC66規(guī)范,速度為15ns.

        (3) 編 號 形 式

        HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj

        其中5a中的a表示芯片類別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.

        b表示電壓,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.

        CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.

        dd表示帶寬。

        f表示界面,0—LVTTL; 1—SSTL(3); 2—SSTL_2.

        g表示版本號,B—第三代。

        h表示電源功耗, L—低功耗; 空白—普通型。

        ii表示封裝形式, TC—400mil TSOP—H.

        jj表示速度,7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;

        10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)

        10—100MHZ(非PC100)。

        例:1) HY57V651620B TC-75

        按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為:SDRAM, 3.3V, 64M, 133MHZ.

        2) HY57V653220B TC-7

        按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為:SDRAM, 3.3V, 64M, 143MHZ

        全球主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠家(掌握內(nèi)存芯片生產(chǎn)技術(shù)的廠家主要分布在美國、韓國、日本、德國、臺灣):

        序號 品牌 國家/地區(qū) 標(biāo)識 備注

        1 三星 韓國 SAMSUNG

        2 現(xiàn)代 韓國 HY

        3 樂金 韓國 LGS 已與HY合并

        4 邁克龍 美國 MT

        5 德州儀器 美國 Ti 已與Micron合并

        6 日電 日本 NEC

        7 日立 日本 HITACHI

        8 沖電氣 日本 OKI

        9 東芝 日本 TOSHIBA

        10 富士通 日本 F

        11 西門子 德國 SIEMENS

        12 聯(lián)華 臺灣 UMC

        13 南亞 臺灣 NANYA

        14 茂矽 臺灣 MOSEI

      內(nèi)存條芯片的參數(shù)怎么看相關(guān)文章:

      1.查看內(nèi)存條參數(shù)

      2.如何查看筆記本內(nèi)存條參數(shù)

      3.怎么知道內(nèi)存條槽數(shù)

      4.內(nèi)存技術(shù)參數(shù)有哪些

      5.辨別查看內(nèi)存條是真是假的方法

      6.內(nèi)存條常識介紹

      2005897