bios中怎么對內(nèi)存進(jìn)行超頻
bios中我們要如何對內(nèi)存進(jìn)行超頻呢?下面是學(xué)習(xí)啦小編為大家介紹bios中對內(nèi)存進(jìn)行超頻的方法,歡迎大家閱讀。
內(nèi)存超頻是一個(gè)比較簡單的提高計(jì)算機(jī)性能的廉價(jià)方式，但是超頻畢竟是超頻，有一定的危險(xiǎn)性，有可能造成電腦的不穩(wěn)定，所以請謹(jǐn)慎超頻。由于不知道你的配置是怎樣的，所以建議你超頻之前查看一下你的主板和處理器是否支持更高的內(nèi)存頻率。
在bios中，我們可以對bios進(jìn)行內(nèi)存的頻率超頻，目前主流的頻率為DDR3 2800+(OC)/2400(OC)/2133(OC)/1866(OC)/1600/1333/1066 ，我們應(yīng)該根據(jù)自己的配置情況選擇合適的超頻頻率，一般中高端端的配置選擇1800MHz或者1866MHz即可，
一般的超頻方法是，在主菜單選擇“Advanced Chipset Features”選項(xiàng)，發(fā)現(xiàn)有關(guān)內(nèi)存的設(shè)置。“SDRAM CAS Latency Time”(內(nèi)存CAS延遲時(shí)間)參數(shù)是對于SDRAM內(nèi)存而言的，CAS信號延遲時(shí)間的長短對內(nèi)存性能有很大影響，一般它有AUTO/3/2三個(gè)選項(xiàng)。普通的兼容內(nèi)存一般只能在CL=3 (CAS信號延遲時(shí)間為3個(gè)時(shí)鐘周期)模式下工作。如果內(nèi)存品質(zhì)比較好可以在CL=2(CAS信號延遲時(shí)間為2個(gè)時(shí)鐘周期)下正常工作，性能也會有大幅提高。 接下來是“SDRAM Cycle time Tras/Trc(內(nèi)存Tras/Trc時(shí)鐘周期)”設(shè)置項(xiàng)。該參數(shù)用于確定SDRAM內(nèi)存行激活時(shí)間和行周期時(shí)間的時(shí)鐘周期數(shù)。 激活時(shí)間與周期數(shù)越小的內(nèi)存讀取就越快?？蓪⒃擁?xiàng)設(shè)置得小一些，如果內(nèi)存品質(zhì)比較好，可以設(shè)為5/7，這是速度就比較快。
bios中對內(nèi)存進(jìn)行超頻的方法
步驟1、進(jìn)入BIOS中“Cell Menu”菜單后，我們首先就是CPU的頻率進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)節(jié)，在設(shè)置中我們主要將CPU的外頻“Adjust CPU Base Frequency(MHz)”更改為200即可，你可以自行選擇調(diào)節(jié)頻率，但是幅度不要太大。
步驟2、我們在Cell Menu菜單中，找到“DRAM Timing Mode”將其選項(xiàng)選為“Manual”標(biāo)準(zhǔn)，然后我們進(jìn)入下邊的“Advance DRAM Configration”然后回車進(jìn)入，從內(nèi)存時(shí)序當(dāng)中，對內(nèi)存時(shí)序進(jìn)行相應(yīng)設(shè)置。
步驟4、當(dāng)我們對相應(yīng)參數(shù)進(jìn)行完基本設(shè)置后，下一步就是我們要對CPU和內(nèi)存進(jìn)行加電壓處理，加高電壓為了提高穩(wěn)定性。一般設(shè)置成1.35v就比較穩(wěn)定了。
以上的方法就是給內(nèi)存超頻的具體步驟，在一些數(shù)據(jù)的設(shè)置中千萬不要設(shè)置的很大，一般循序漸進(jìn)即可，以保持電腦的穩(wěn)定性。這是安全超頻的一個(gè)重要準(zhǔn)則。
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