內(nèi)存參數(shù)DDR怎么優(yōu)化
電腦內(nèi)存少導(dǎo)致運(yùn)行變慢，那如何對(duì)內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)置呢?下面是學(xué)習(xí)啦小編為大家介紹內(nèi)存參數(shù)DDR優(yōu)化的方法,歡迎大家閱讀。
優(yōu)化內(nèi)存的延遲參數(shù)對(duì)PC性能的提高有很大幫助。優(yōu)化內(nèi)存是通過(guò)調(diào)節(jié)BIOS中幾個(gè)內(nèi)存時(shí)序參數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
內(nèi)存參數(shù)DDR優(yōu)化的方法
一、內(nèi)存延遲時(shí)序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設(shè)置
首先，需要在BIOS中打開(kāi)手動(dòng)設(shè)置，在BIOS設(shè)置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設(shè)置中可能出現(xiàn)的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設(shè)為“Menual”(視BIOS的不同可能的選項(xiàng)有：On/Off或Enable/Disable)，如果要調(diào)整內(nèi)存時(shí)序，應(yīng)該先打開(kāi)手動(dòng)設(shè)置，之后會(huì)自動(dòng)出現(xiàn)詳細(xì)的時(shí)序參數(shù)列表：
1、CL(CAS Latency)：“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間”(可能的選項(xiàng)：1.5/2/2.5/3)
BIOS中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。這個(gè)參數(shù)很重要，內(nèi)存條上一般都有這個(gè)參數(shù)標(biāo)記。在BIOS設(shè)置中DDR內(nèi)存的CAS參數(shù)選項(xiàng)通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3”幾種選擇，SDRAM則只有“2”、“3”兩個(gè)選項(xiàng)。較低的CAS周期能減少內(nèi)存的潛伏周期以提高內(nèi)存的工作效率。因此只要能夠穩(wěn)定運(yùn)行操作系統(tǒng)，我們應(yīng)當(dāng)盡量把CAS參數(shù)調(diào)低。反過(guò)來(lái)，如果內(nèi)存運(yùn)行不穩(wěn)定，可以將此參數(shù)設(shè)大，以提高內(nèi)存穩(wěn)定性。
2、tRCD(RAS-to-CAS Delay)“行尋址至列尋址延遲時(shí)間”(可能的選項(xiàng)：2/3/4/5)
BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。數(shù)值越小，性能越好。
3、tRP(RAS Precharge Time): “內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間”(可能的選項(xiàng)：2/3/4)
BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。
4.tRAS(RAS Active Time): “內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”(可能的選項(xiàng)：1……5/6/7……15)
BIOS中的可能其他描述：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等。一般我們可選的參數(shù)選項(xiàng)有5，6或者7這3個(gè)，但是在一些nForce 2 主板上的選擇范圍卻很大，最高可到 15，最低達(dá)到 1。調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設(shè)在5-11之間。這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定，并不是說(shuō)越大或越小就越好。具體的調(diào)整要遵循以下兩個(gè)原則：
a、當(dāng)內(nèi)存頁(yè)面數(shù)為4時(shí) ，tRAS設(shè)置短一些可能會(huì)更好，但最好不要小于5。另外，短tRAS的內(nèi)存性能相對(duì)于長(zhǎng)tRAS可能會(huì)產(chǎn)生更大的波動(dòng)性，對(duì)時(shí)鐘頻率的提高也相對(duì)敏感;當(dāng)內(nèi)存頁(yè)面數(shù)大于或等于8時(shí)，tRAS設(shè)置長(zhǎng)一些會(huì)更好。
目前的芯片組都具備多頁(yè)面管理的能力，所以如果可能，請(qǐng)盡量選擇雙P-Bank的內(nèi)存模組以增加系統(tǒng)內(nèi)存的頁(yè)面數(shù)量。但怎么分辨是單P-Bank還是雙 P-Bank呢?就目前市場(chǎng)上的產(chǎn)品而言，256MB的模組基本都是單P-Bank的，雙面但每面只有4顆芯片的也基本上是單 P-Bank 的，512MB 的雙面模組則基本都是雙 P-Bank的。
頁(yè)面數(shù)量的計(jì)算公式為： P-Bank 數(shù)量X4，如果是Pentium4或AMD 64 的雙通道平臺(tái)，則還要除以2。比如兩條單面256MB內(nèi)存，就是 2X4=8個(gè)頁(yè)面，用在875上組成雙通道就成了4個(gè)頁(yè)面。
b、對(duì)于875和865平臺(tái)，雙通道時(shí)頁(yè)面數(shù)達(dá)到8或者以上時(shí)，tRAS設(shè)置長(zhǎng)一些內(nèi)存性能更好;對(duì)于非雙通道Pentium4與AMD 64 平臺(tái)，tRAS長(zhǎng)短之間的性能差異要縮小
二、Bank Interleaving“內(nèi)存交錯(cuò)技術(shù)”(可能的選項(xiàng)：Off/Auto/2/4)
這里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的內(nèi)存芯片都是由4個(gè)L-Bank所組成，為了最大限度減少尋址沖突，提高效率，建議設(shè)為4(Auto也可以，它是根據(jù)SPD中的L-Bank信息來(lái)自動(dòng)設(shè)置的)。有人甚至認(rèn)為啟用內(nèi)存交錯(cuò)對(duì)于系統(tǒng)性能的提高比將內(nèi)存CAS延遲時(shí)間從3改成2還要大。
Intel和VIA都支持內(nèi)存交錯(cuò)技術(shù)，主要模式有2路交錯(cuò)(2-Bank )和4路交錯(cuò)(4-Bank)兩種;不過(guò)出于對(duì)系統(tǒng)的穩(wěn)定性考慮，很多支持該技術(shù)的主板在默認(rèn)情況下都關(guān)閉了內(nèi)存交錯(cuò)技術(shù)，或最多開(kāi)啟2路內(nèi)存交錯(cuò)模式——雖然4路交錯(cuò)可以帶來(lái)更大的性能提升。通過(guò)升級(jí)BIOS，VIA 694X以上芯片組都有機(jī)會(huì)開(kāi)啟內(nèi)存交錯(cuò)設(shè)置項(xiàng);即便BIOS不支持，也可以通過(guò)WPCREdit等專用軟件來(lái)修改北橋芯片的寄存器，從而打開(kāi)內(nèi)存交錯(cuò)模式。
三、Burst Length“突發(fā)長(zhǎng)度”(可能的選項(xiàng)：4/8)
一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4單通道平臺(tái)，建議設(shè)為8，如果是Pentium4或AMD 64的雙通道平臺(tái)，建議設(shè)為4。
四、Command Rate“首命令延遲”(可能的選項(xiàng)：1/2)
這個(gè)選項(xiàng)目前已經(jīng)非常少見(jiàn)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進(jìn)行P-Bank的選擇(通過(guò)DIMM上CS片選信號(hào)進(jìn)行)，然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個(gè)參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時(shí)間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時(shí)鐘周期。顯然，也是越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負(fù)載也隨之增加，過(guò)短的命令間隔可能會(huì)影響穩(wěn)定性。因此當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時(shí)間，才需要將此參數(shù)調(diào)長(zhǎng)。目前的大部分主板都會(huì)自動(dòng)設(shè)置這個(gè)參數(shù)。
五、DRAM Clock“內(nèi)存時(shí)鐘頻率”(可能的選項(xiàng)：Host Clock/Hclk-33MHz/Hclk+33MHz，說(shuō)明：Host Clock即總線頻率和內(nèi)存工作頻率同步、Hclk-33MHz即總線頻率減33MHz、Hclk+33MHz即總線頻率+33MHz”等三種模式可選。)
在內(nèi)存同步工作模式下，內(nèi)存的運(yùn)行速度與CPU外頻相同。內(nèi)存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術(shù)可令內(nèi)存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz的情況下(也有采用3:4、4:5的倍頻模式的)。
通過(guò)調(diào)整該參數(shù)，我們不僅可以讓“老”內(nèi)存發(fā)揮余熱，更重要的是可以充分挖掘內(nèi)存的潛力及獲得更寬泛的超頻空間。Intel的810～875系列芯片組和威盛的693以后的產(chǎn)品，都支持內(nèi)存異步。
注意：在BIOS中對(duì)內(nèi)存進(jìn)行優(yōu)化設(shè)置可能會(huì)對(duì)電腦運(yùn)行的穩(wěn)定性造成不良影響，所以建議內(nèi)存優(yōu)化后一定要使用測(cè)試軟件進(jìn)行電腦穩(wěn)定性和速度的測(cè)試。如果您對(duì)自己內(nèi)存的性能沒(méi)有信心，那么最好采取保守設(shè)置，畢竟穩(wěn)定性是最重要的。如果因內(nèi)存優(yōu)化而出現(xiàn)電腦經(jīng)常死機(jī)、重啟動(dòng)或程序發(fā)生異常錯(cuò)誤等情況，只要清除CMOS參數(shù)，再次設(shè)置成系統(tǒng)默認(rèn)的數(shù)值就可以了。同時(shí)，如果內(nèi)存運(yùn)行不穩(wěn)定或兼容性差，可以根據(jù)文章中的相關(guān)介紹，反優(yōu)化之道行之，可起到提高內(nèi)存穩(wěn)定性的效果。
說(shuō)明：本文系參閱網(wǎng)上有關(guān)內(nèi)存優(yōu)化的不少文章整理而成，從實(shí)用和全面的角度出發(fā)，去掉了不少專業(yè)性太強(qiáng)的陳述及評(píng)測(cè)，旨在幫助菜鳥朋友們了解內(nèi)存設(shè)置，化化內(nèi)存，提高系統(tǒng)性能，解決內(nèi)存不穩(wěn)定和兼容性差而引發(fā)的故障。
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