關于內(nèi)存，不少人都知道它是電腦里面一個重要的部件，但是對于再深入的了解，恐怕就沒有了吧。下面學習啦小編就為大家介紹一下關于內(nèi)存的基本知識吧，歡迎大家參考和學習。

　　1　1.你知道最新的RAM技術詞匯嗎?

　　介紹一些最新的RAM技術詞匯

　　CDRAM-Cached DRAM——高速緩存存儲器

　　CVRAM-Cached VRAM——高速緩存視頻存儲器

　　DRAM-Dynamic RAM——動態(tài)存儲器

　　EDRAM-Enhanced DRAM——增強型動態(tài)存儲器

　　EDO RAM-Extended Date Out RAM——外擴充數(shù)據(jù)模式存儲器

　　EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外擴充數(shù)據(jù)模式靜態(tài)存儲器

　　EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外擴充數(shù)據(jù)模式視頻存儲器

　　FPM-Fast Page Mode——快速頁模式

　　FRAM-Ferroelectric RAM——鐵電體存儲器

　　SDRAM-Synchronous DRAM——同步動態(tài)存儲器

　　SRAM-Static RAM——靜態(tài)存儲器

　　SVRAM-Synchronous VRAM——同步視頻存儲器

　　3D RAM-3 DIMESION RAM——3維視頻處理器專用存儲器

　　VRAM-Video RAM——視頻存儲器

　　WRAM-Windows RAM——視頻存儲器(圖形處理能力優(yōu)于VRAM)

　　MDRAM-MultiBank DRAM——多槽動態(tài)存儲器

　　SGRAM-Signal RAM——單口存儲器

　　2.存儲器有哪些主要技術指標

　　存儲器是具有“記憶”功能的設備，它用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來表示二進制數(shù)碼 “0”和“1”，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發(fā)器、 MOS電路或電容器等。 位(bit)是二進制數(shù)的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數(shù)稱為一 個字節(jié)(Byte)，可以由一個字節(jié)或若干個字節(jié)組成一個字(Word)在PC機中一般認為1個或 2個字節(jié)組成一個字。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個 存儲體(MemoryBank)。 為了區(qū)分存儲體內(nèi)的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間 一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它里面存放的內(nèi)容完全是兩 回事。

　　根據(jù)存儲器在計算機中處于不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內(nèi)部，直接 與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內(nèi)存儲器。在執(zhí)行期間，程序的數(shù)據(jù)放在主存儲器 內(nèi)。各個存儲單元的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫訪問的存儲器稱為隨機存取存儲器(RAM)。另 一種存儲器叫只讀存儲器(ROM)，里面存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù)，僅能隨機讀出。RAM 和ROM共同分享主存儲器的地址空間。

　　RAM中存取的數(shù)據(jù)掉電后就會丟失，而掉電后ROM中 的數(shù)據(jù)可保持不變。 因為結構、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而采用了大容量的輔助存儲 器或稱外存儲器，如磁盤、光盤等。 存儲器的特性由它的技術參數(shù)來描述。

　　存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。一般主存儲器(內(nèi)存)容量在幾 十K到幾十M字節(jié)左右;輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M字節(jié)。

　　存取周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器 (MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時間 間隔，稱為取數(shù)時間TA;兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導 體存儲器的存取周期一般為60ns-100ns。

　　存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩 次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。

　　性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內(nèi)容。性能價格比是一個 綜合性指標，對于不同的存儲器有不同的要求。對于外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存 儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統(tǒng)很重要的 指標。

　　SDARM能成為下一代內(nèi)存的主流嗎

　　快頁模式(FPM)DRAM的黃金時代已經(jīng)過去。隨著高效內(nèi)存集成電路的出現(xiàn)和為優(yōu)化Pentium 芯片運行效能而設計的INTEL HX、VX等核心邏輯芯片組的支持，人們越來越傾向于采用擴 展數(shù)據(jù)輸出(EDO)DRAM。 EDO DRAM采用一種特殊的內(nèi)存讀出電路控制邏輯，在讀寫一個地址單元時，同時啟動下一 個連續(xù)地址單元的讀寫周期。從而節(jié)省了重選地址的時間，使存儲總線的速率提高到 40MHz。也就是說，與快頁內(nèi)存相比，內(nèi)存性能提高了將近15%～30%，而其制造成本與快頁 內(nèi)存相近。

　　但是EDO內(nèi)存也只能輝煌一時，其稱霸市場的時間將極為短暫。不久以后市場上主流CPU的 主頻將高達200MHz以上。為優(yōu)化處理器運行效能，總線時鐘頻率至少要達到66MHz以上。 多媒體應用程序以及Windows 95和Windows NT操作系統(tǒng)對內(nèi)存的要求也越來越高，為緩解 瓶頸，只有采用新的內(nèi)存結構，以支持高速總線時鐘頻率，而不至于插入指令等待周期。

　　這樣，為適應下一代主流CPU的需要，在理論上速度可與CPU頻率同步，與CPU共享一個時鐘 周期的同步DRAM(SYNCHRONOUS DRAMS)即SDRAM(注意和用作CACHE的SRAM區(qū)別，SRAM的全 寫是Static RAM即靜態(tài)RAM，速度雖快，但成本高，不適合做主存)應運而生，與其它內(nèi)存 結構相比，性能\價格比最高，勢必將成為內(nèi)存發(fā)展的主流。

　　SDRAM基于雙存儲體結構，內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數(shù)據(jù) 的同時，另一個已準備好讀寫數(shù)據(jù)。通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提 高。去年推出的SDRAM最高速度可達100MHz，與中檔Pentium同步，存儲時間高達5～ 8ns，可將Pentium系統(tǒng)性能提高140%，與Pentium 100、133、166等每一檔次只能提高性 能百分之幾十的CPU相比，換用SDRAM似乎是更明智的升級策略。

　　在去年初許多DRAM生產(chǎn)廠家已開始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM內(nèi)存條，但其成本 較高?，F(xiàn)在每一個內(nèi)存生產(chǎn)廠家都在擴建SDRAM生產(chǎn)線。預計到今年底和1998年初，隨著 64M SDRAM內(nèi)存條的大量上市，SDRAM將占據(jù)主導地位。其價格也將大幅下降。

　　但是SDRAM的發(fā)展仍有許多困難要加以克服，其中之一便是主板核心邏輯芯片組的限制。VX 芯片組已開始支持168線SDRAM，但一般VX主板只有一條168線內(nèi)存槽，最多可上32M SDRAM，而簡潔高效的HX主板則不支持SDRAM。預計下一代Pentium主板芯片組TX將更好 的支持SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主板芯片組TX將更好的支持SDRAM。

　　SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡專用內(nèi)存方面也有廣泛應用。對顯示卡來說，數(shù)據(jù)帶寬越 寬，同時處理的數(shù)據(jù)就越多，顯示的信息就越多，顯示質(zhì)量也就越高。以前用一種可同時進 行讀寫的雙端口視頻內(nèi)存(VRAM)來提高帶寬，但這種內(nèi)存成本高，應用受很大限制。因此在 一般顯示卡上，廉價的DRAM和高效的EDO DRAM應用很廣。但隨著64位顯示卡的上市，帶 寬已擴大到EDO DRAM所能達到的帶寬的極限，要達到更高的1600×1200的分辨率，而又盡 量降低成本，就只能采用頻率達66MHz、高帶寬的SDRAM了。

　　SDRAM也將應用于共享內(nèi)存結構(UMA)——一種集成主存和顯示內(nèi)存的結構。這種結構在很 大程度上降低了系統(tǒng)成本，因為許多高性能顯示卡價格高昂，就是因為其專用顯示內(nèi)存成本 極高，而UMA技術將利用主存作顯示內(nèi)存，不再需要增加專門顯示內(nèi)存，因而降低了成本。

　　什么是Flash Memory 存儲器

　　介紹關于閃速存儲器有關知識 近年來，發(fā)展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(Flash Memory)。它的主要特點是在不 加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質(zhì)而言，F(xiàn)lash Memory屬于EEPROM(電擦除可 編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重寫， 功耗很小。目前其集成度已達4MB，同時價格也有所下降。 由于Flash Memory的獨特優(yōu)點，如在一些較新的主板上采用Flash ROM BIOS，會使得BIOS 升級非常方便。

　　Flash Memory可用作固態(tài)大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬盤。硬盤雖 有容量大和價格低的優(yōu)點，但它是機電設備，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗沖 擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬盤的手段。由于Flash Memory集 成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬盤已成為可能。

　　目前研制的Flash Memory都符合PCMCIA標準，可以十分方便地用于各種便攜式計算機中以 取代磁盤。當前有兩種類型的PCMCIA卡，一種稱為Flash存儲器卡，此卡中只有Flash Memory芯片組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟件進行管理。另一種稱為Flash驅動 卡，此卡中除Flash芯片外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標 準兼容，可在DOS下象硬盤一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態(tài)盤。 Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用于要求可靠性 高，重量輕，但容量不大的便攜式系統(tǒng)中。在586微機中已把BIOS系統(tǒng)駐留在Flash存儲 器中。

　　什么是Shadow RAM 內(nèi)存

　　Shadow RAM也稱為“影子”內(nèi)存。它是為了提高系統(tǒng)效率而采用的一種專門技術。 Shadow RAM所使用的物理芯片仍然是CMOS DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)芯片。Shadow RAM 占據(jù)了系統(tǒng)主存的一部分地址空間。其編址范圍為C0000～FFFFF，即為1MB主存中的 768KB～1024KB區(qū)域。這個區(qū)域通常也稱為內(nèi)存保留區(qū)，用戶程序不能直接訪問。

　　Shadow RAM的功能是用來存放各種ROM BIOS的內(nèi)容?；蛘哒fShadow RAM中的內(nèi)容是ROM BIOS的拷貝。因此也把它稱為ROM Shadow(即Shadow RAM的內(nèi)容是ROM BIOS的“影 子”)。 在機器上電時，將自動地把系統(tǒng)BIOS、顯示BIOS及其它適配器的BIOS裝載到Shadow RAM 的指定區(qū)域中。由于Shadow RAM的物理編址與對應的ROM相同，所以當需要訪問BIOS時， 只需訪問Shadow RAM即可，而不必再訪問ROM。

　　通常訪問ROM的時間在200ns左右，而訪問DRAM的時間小于100ns(最新的DRAM芯片訪問時 間為60ns左右或者更小)。在系統(tǒng)運行的過程中，讀取BIOS中的數(shù)據(jù)或調(diào)用BIOS中的程序 模塊是相當頻繁的。顯然，采用了Shadow技術后，將大大提高系統(tǒng)的工作效率。 按下按鍵你可以看到該地址空間分配圖,在如圖所示的1MB主存地址空間中，640KB以下的 區(qū)域是常規(guī)內(nèi)存。640KB～768KB區(qū)域保留為顯示緩沖區(qū)。768KB～1024KB區(qū)域即為Shadow RAM區(qū)。在系統(tǒng)設置中，又把這個區(qū)域按16KB大小的尺寸分為塊，由用戶設定是否允許使 用。

　　C0000～C7FFF這兩個16KB塊(共32KB)通常用作顯示卡的ROM BIOS的Shadow區(qū)。 C8000～EFFFF這10個16KB塊可作為其它適配器的ROM BIOS的Shadow區(qū)。F0000～FFFFF 共64KB規(guī)定由系統(tǒng)ROM BIOS使用。 應該說明的是，只有當系統(tǒng)配置有640KB以上的內(nèi)存時才有可能使用Shadow RAM。在系統(tǒng) 內(nèi)存大于640KB時，用戶可在CMOS設置中按照ROM Shadow分塊提示，把超過640KB以上的 內(nèi)存分別設置為“允許”(Enabled)即可。

　　什么是EDO RAM

　　內(nèi)存是計算機中最主要的部件之一。微機誕生以來，它的心臟--CPU幾經(jīng)改朝換代，目前已 發(fā)展到了PentiumⅡ，較之于當初，它在速度上已有兩個數(shù)量級的增長。而內(nèi)存的構成器件 RAM(隨機存儲器)--一般為DRAM(動態(tài)隨機存儲器)，雖然單個芯片的容量不斷擴大，但存取 速度并沒有太大的提高。雖然人們早就采用高速但昂貴的SRAM芯片在CPU和內(nèi)存之間增加 一種緩沖設備--Cache，以緩沖兩者之間的速度不匹配問題。但這并不能根本解決問題。于 是人們把注意力集中到DRAM接口(芯片收發(fā)數(shù)據(jù)的途徑上)。

　　在RAM芯片之中，除存儲單元之外，還有一些附加邏輯電路，現(xiàn)在，人們已注意到RAM芯片 的附加邏輯電路，通過增加少量的額外邏輯電路，可以提高在單位時間內(nèi)的數(shù)據(jù)流量，即所 謂的增加帶寬。EDO正是在這個方面作出了嘗試。

　　擴展數(shù)據(jù)輸出(Extended data out--EDO，有時也稱為超頁模式--hyper-page-mode)DRAM， 和突發(fā)式EDO(Bust EDO-BEDO)DRAM是兩種基于頁模式內(nèi)存的內(nèi)存技術。EDO大約一年前被 引入主流PC，從那以后成為許多系統(tǒng)廠商的主要內(nèi)存選擇。BEDO相對更新一些，對市場的 吸引還未能達到EDO的水平。 EDO的工作方式頗類似于FPM DRAM：先觸發(fā)內(nèi)存中的一行，然后觸發(fā)所需的那一列。但是當 找到所需的那條信息時，EDO DRAM不是將該列變?yōu)榉怯|發(fā)狀態(tài)而且關閉輸出緩沖區(qū)(這是 FPM DRAM采取的方式)，而是將輸出數(shù)據(jù)緩沖區(qū)保持開放，直到下一列存取或下一讀周期開 始。由于緩沖區(qū)保持開放，因而EDO消除了等待狀態(tài)，且突發(fā)式傳送更加迅速。

　　EDO還具有比FPM DRAM的6-3-3-3更快的理想化突發(fā)式讀周期時鐘安排：6-2-2-2。這使得 在66MHz總線上從DRAM中讀取一組由四個元素組成的數(shù)據(jù)塊時能節(jié)省3個時鐘周期。EDO 易于實現(xiàn)，而且在價格上EDO與FPM沒有什么差別，所以沒有理由不選擇EDO。 BEDO DRAM比EDO能更大程度地改善FPM的時鐘周期。由于大多數(shù)PC應用程序以四周期突 發(fā)方式訪問內(nèi)存，以便填充高速緩沖內(nèi)存 (系統(tǒng)內(nèi)存將數(shù)據(jù)填充至L2高速緩存，如果沒有 L2高速緩存，則填充至CPU)，所以一旦知道了第一個地址，接下來的三個就可以很快地由 DRAM提供。BEDO最本質(zhì)的改進是在芯片上增加了一個地址計數(shù)器，用來跟蹤下一個地址。 BEDO還增加了流水線級，允許頁訪問周期被劃分為兩個部分。

　　對于內(nèi)存讀操作，第一部分 負責將數(shù)據(jù)從內(nèi)存陣列中讀至輸出級(第二級鎖存)，第二部分負責從這一鎖存將數(shù)據(jù)總線驅 動至相應的邏輯級別。因為數(shù)據(jù)已經(jīng)在輸出緩沖區(qū)內(nèi)，所以訪問時間得以縮短。BEDO能達 到的最大突發(fā)式時鐘安排為5-1-1-1(采用52nsBEDO和66-MHz總線)比優(yōu)化EDO內(nèi)存又節(jié)省 了四個時鐘周期。

　　RAM是如何工作的

　　實際的存儲器結構由許許多多的基本存儲單元排列成矩陣形式，并加上地址選擇及讀寫控制 等邏輯電路構成。當CPU要從存儲器中讀取數(shù)據(jù)時，就會選擇存儲器中某一地址，并將該地 址上存儲單元所存儲的內(nèi)容讀走。 早期的DRAM的存儲速度很慢，但隨著內(nèi)存技術的飛速發(fā)展，隨后發(fā)展了一種稱為快速頁面 模式(Fast Page Mode)的DRAM技術，稱為FPDRAM。FPM內(nèi)存的讀周期從DRAM陣列中某一行 的觸發(fā)開始，然后移至內(nèi)存地址所指位置的第一列并觸發(fā)，該位置即包含所需要的數(shù)據(jù)。第 一條信息需要被證實是否有效，然后還需要將數(shù)據(jù)存至系統(tǒng)。一旦發(fā)現(xiàn)第一條正確信息，該 列即被變?yōu)榉怯|發(fā)狀態(tài)，并為下一個周期作好準備。這樣就引入了“等待狀態(tài)”，因為在該 列為非觸發(fā)狀態(tài)時不會發(fā)生任何事情(CPU必須等待內(nèi)存完成一個周期)。

　　直到下一周期開始 或下一條信息被請求時，數(shù)據(jù)輸出緩沖區(qū)才被關閉。在快頁模式中，當預測到所需下一條數(shù) 據(jù)所放位置相鄰時，就觸發(fā)數(shù)據(jù)所在行的下一列。下一列的觸發(fā)只有在內(nèi)存中給定行上進行 順序讀操作時才有良好的效果。 從50納秒FPM內(nèi)存中進行讀操作，理想化的情形是一個以6-3-3-3形式安排的突發(fā)式周期 (6個時鐘周期用于讀取第一個數(shù)據(jù)元素，接下來的每3個時鐘周期用于后面3個數(shù)據(jù)元 素)。第一個階段包含用于讀取觸發(fā)行列所需要的額外時鐘周期。一旦行列被觸發(fā)后，內(nèi)存 就可以用每條數(shù)據(jù)3個時鐘周期的速度傳送數(shù)據(jù)了。 FP RAM雖然速度有所提高，但仍然跟不上新型高速的CPU。很快又出現(xiàn)了EDO RAM和SDRAM等新型高速的內(nèi)存芯片。

　　介紹處理器高速緩存的有關知識

　　所謂高速緩存，通常指的是Level 2高速緩存，或外部高速緩存。L2高速緩存一直都屬于 速度極快而價格也相當昂貴的一類內(nèi)存，稱為SRAM(靜態(tài)RAM)，用來存放那些被CPU頻繁使 用的數(shù)據(jù)，以便使CPU不必依賴于速度較慢的DRAM。 最簡單形式的SRAM采用的是異步設計，即CPU將地址發(fā)送給高速緩存，由緩存查找這個地 址，然后返回數(shù)據(jù)。每次訪問的開始都需要額外消耗一個時鐘周期用于查找特征位。這樣， 異步高速緩存在66MHz總線上所能達到的最快響應時間為3-2-2-2，而通常只能達到4-2-2- 2。

　　同步高速緩存用來緩存?zhèn)魉蛠淼牡刂?，以便把按地址進行查找的過程分配到兩個或更多 個時鐘周期上完成。SRAM在第一個時鐘周期內(nèi)將被要求的地址存放到一個寄存器中。在第 二個時鐘周期內(nèi)，SRAM把數(shù)據(jù)傳送給CPU。由于地址已被保存在一個寄存器中，所以接下來 同步SRAM就可以在CPU讀取前一次請求的數(shù)據(jù)同時接收下一個數(shù)據(jù)地址。這樣，同步SRAM 可以不必另花時間來接收和譯碼來自芯片集的附加地址，就“噴出”連續(xù)的數(shù)據(jù)元素。優(yōu)化 的響應時間在66MHz總線上可以減小為2-1-1-1。

　　另一種類型的同步SRAM稱為流水線突發(fā)式(pipelined burst)。流水線實際上是增加了一個 用來緩存從內(nèi)存地址讀取的數(shù)據(jù)的輸出級，以便能夠快速地訪問從內(nèi)存中讀取的連續(xù)數(shù)據(jù)， 而省去查找內(nèi)存陣列來獲取下一數(shù)據(jù)元素過程中的延遲。流水線對于順序訪問模式，如高速 緩存的行填充(linefill)最為高效。

　　什么是ECC內(nèi)存

　　ECC是Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting的縮寫，它代表具有 自動糾錯功能的內(nèi)存。目前的ECC存儲器一般只能糾正一位二進制數(shù)的錯誤。 Intel公司的82430HX芯片組可支持ECC內(nèi)存，所以采用82430HX芯片的主板一般都可以安 裝使用ECC內(nèi)存，由于ECC內(nèi)存成本比較高，所以它主要應用在要求系統(tǒng)運算可靠性比較高 的商業(yè)計算機中。 由于實際上存儲器出錯的情況不會經(jīng)常發(fā)生，所以一般的家用計算機不必采用ECC內(nèi)存，還 有不少控制電路芯片不能支持ECC內(nèi)存，所以有不少主機是不宜安裝ECC內(nèi)存的，用戶應注 意對ECC內(nèi)存不要盲從。

　　SDRAM能與EDO RAM混用嗎

　　SDRAM是新一代的動態(tài)存儲器，又稱為同步動態(tài)存儲器或同步DRAM。它可以與CPU總線使用 同一個時鐘，而EDO和FPM存儲器則與CPU總線是異步的。目前SDRAM存儲器的讀寫周期一 般為5-1-1-1。相比之下，EDO內(nèi)存器一般為6-2-2-2。也就是說，SDRAM的讀寫周期比EDO 少4個，大約節(jié)省存儲器讀寫時間28%，但實際上由于計算機內(nèi)其它設備的制約，使用 SDRAM的計算機大約可提高性能5～10%。 雖然有不少主機支持SDRAM與EDO內(nèi)存混合安裝方式，但是最好不要混用。原因是多數(shù) SDRAM只能在3.3V下工作，而EDO內(nèi)存則多數(shù)在5V下工作。

　　雖然主機板上對DIMM和SIMM 分別供電，但它們的數(shù)據(jù)線總是要連在一起的，如果SIMM(72線內(nèi)存)與DIMM(168線SDRAM) 混用，盡管開始系統(tǒng)可以正常工作，但可能在使用一段時間后，會造成SDRAM的數(shù)據(jù)輸入端 被損壞。 當然，如果你的SDRAM是寬電壓(3V～5V)工作的產(chǎn)品，就不會出現(xiàn)這種損壞情況。目前T1 和SUMSUNG的某些SDRAM產(chǎn)品支持寬電壓工作方式，可以與EDO內(nèi)存混用。

　　高速緩存--Cache 介紹Cache的分級

　　隨著CPU的速度的加快，它與動態(tài)存儲器DRAM配合工作時往往需要插入等待狀態(tài)，這樣難 以發(fā)揮出CPU的高速度，也難以提高整機的性能。如果采用靜態(tài)存儲器，雖可以解決該問 題，但SRAM價格高。在同樣容量下，SARM的價格是DRAM的4倍。而且SRAM體積大，集成 度低。 為解決這個問題，在386DX以上的主板中采用了高速緩沖存儲器--Cache技術。其基本思想 是用少量的SRAM作為CPU與DRAM存儲系統(tǒng)之間的緩沖區(qū)，即Cache系統(tǒng)。 80486以及更高檔微處理器的一個顯著特點是處理器芯片內(nèi)集成了SRAM作為Cache，由于這 些Cache裝在芯片內(nèi)，因此稱為片內(nèi)Cache。486芯片內(nèi)Cache的容量通常為8K。高檔芯片 如Pentium為16KB，Power PC可達32KB。Pentium微處理器進一步改進片內(nèi)Cache，采用 數(shù)據(jù)和雙通道Cache技術，相對而言，片內(nèi)Cache的容量不大，但是非常靈活、方便，極大 地提高了微處理器的性能。

　　片內(nèi)Cache也稱為一級Cache。 由于486，586等高檔處理器的時鐘頻率很高，一旦出現(xiàn)一級Cache未命中的情況，性能將 明顯惡化。在這種情況下采用的辦法是在處理器芯片之外再加Cache，稱為二級Cache。二 級Cache實際上是CPU和主存之間的真正緩沖。由于系統(tǒng)板上的響應時間遠低于CPU的速 度，如果沒有二級Cache就不可能達到486，586等高檔處理器的理想速度。 二級Cache的容量通常應比一級Cache大一個數(shù)量級以上。在系統(tǒng)設置中，常要求用戶確定 二級Cache是否安裝及尺寸大小等。二級Cache的大小一般為128KB、256KB或512KB。 在486以上檔次的微機中，普遍采用256KB或512KB同步Cache。所謂同步是指Cache和 CPU采用了相同的時鐘周期，以相同的速度同步工作。相對于異步Cache，性能可提高30% 以上。

　　什么是CACHE存儲器

　　所謂Cache，即高速緩沖存儲器，是位于CPU和主存儲器DRAM(Dynamic RAM)之間的規(guī)模較 小的但速度很高的存儲器，通常由SRAM組成。SRAM(Static RAM)是靜態(tài)存儲器的英文縮 寫。由于SRAM采用了與制作CPU相同的半導體工藝，因此與動態(tài)存儲器DRAM比較，SRAM 的存取速度快，但體積較大，價格很高。

　　由于動態(tài)RAM組成的主存儲器的讀寫速度低于CPU 的速度，而CPU每執(zhí)行一條指令都要訪問一次或多次主存，所以CPU總是要處于等待狀態(tài)， 嚴重地降低了系統(tǒng)的效率。采用Cache之后，在Cache中保存著主存儲器內(nèi)容的部分副本， CPU在讀寫數(shù)據(jù)時，首先訪問Cache。由于Cache的速度與CPU相當，因此CPU就能在零等 待狀態(tài)下迅速地完成數(shù)據(jù)的讀寫。只有Cache中不含有CPU所需的數(shù)據(jù)時，CPU才去訪問主 存。CPU在訪問Cache時找到所需的數(shù)據(jù)稱為命中，否則稱為未命中。因此，訪問Cache的 命中率則成了提高效率的關鍵。而提高命中率則取決于Cache存儲器的映象方式和Cache內(nèi) 容替換的算法等一系列因素。

　　對內(nèi)存擴容時應遵循哪些規(guī)則

　　對內(nèi)存擴充容量時，應遵循下面的一些規(guī)則：

　　1.對大多數(shù)PC機來說，不能在同一組Bank內(nèi)(每組包括兩到四個插座)將不同大小的SIMM 條混合在一起。很多PC機都可安裝不同容量的SIMM，但裝在PC機同一組中的所有SIMM必 須具有相同的容量，例如，對一個四插槽組來說，PC機一般既可接受1MB的SIMM條，也可 接受4MB的SIMM條，可在該組的每個槽內(nèi)安裝1MB SIMM，則這一組共可容納4MB內(nèi)存。也 可在該組每個槽內(nèi)安裝4MB SIMM，則這一組共可容納16MB內(nèi)存。但是，不能為了得到10MB 內(nèi)存，在兩個槽內(nèi)插入1MB的SIMM條，而在另兩個槽中插入4MB的SIMM條。

　　2.對于很多PC機來說，若把不同速度的SIMM混合在一起，即使它們的容量相同也會帶來麻 煩。例如，計算機中已有運行速度為60納秒(ns)的4MB內(nèi)存，而文檔中說70ns的SIMM也 能工作。如果在母板的空閑內(nèi)存槽中再插入速度為70ns的SIMM條，機器會拒絕引導或在啟 動后不久就陷于崩潰。對于某些機器來說，若把速度低的SIMM放至第一組，則可解決速度 混合問題。計算機會按最低速度存取，剩余部分不會再有用。

　　3.對于大多數(shù)PC機來說，必須將一組的所有插槽都插滿?；蛘邔⒁唤M全部置空(當然第一組 不行)。在一組中不能只裝一部分。

　　4.PC機可接受的SIMM大小有一個上限(最大值可從PC機說明書中找到。若沒有說明書，唯 一的方法就是從實踐中找到最大值了)。 何謂30線、72線、168線內(nèi)存條 內(nèi)存條;30線;72線;168線 介紹30線、72線、168線內(nèi)存條的有關知識及相互之間的區(qū)別 條形存儲器是把一些存儲器芯片焊在一小條印制電路板上做成的，即稱之為內(nèi)存條，所謂內(nèi) 存條線數(shù)即引腳數(shù)，按引腳數(shù)不同可把內(nèi)存條分為30線的內(nèi)存條、72線的內(nèi)存條(SIMM， 即Sigle inline Memory Modale)和168線的內(nèi)存條(DIMM，即Double inline Memory Module)。

　　內(nèi)存條的引腳數(shù)必須與主板上內(nèi)存槽的插腳數(shù)相匹配，內(nèi)存條插槽也有30線、72 線和168線三種。 30線內(nèi)存條提供8位有效數(shù)據(jù)位。常見容量有256KB、1MB和4MB。72線的內(nèi)存條體積稍大，提供32位的有效數(shù)據(jù)位。常見容量有4MB、8MB、16MB和32MB。 按下按鍵你可以看到72線內(nèi)存條的外觀形狀。 168線的內(nèi)存條體積較大，提供64位有效數(shù)據(jù)位。

　　如何識別Cache存儲器芯片標志

　　目前微機系統(tǒng)中，常用的靜態(tài)RAM的容量有8K×8位(64Kbit)、32K×8(256Kbit)位以及 64K×8(512Kbit)位三種芯片，存取時間(周期)為15ns到30ns。以上參數(shù)在靜態(tài)SRAM芯片 上常標注為：XX64-25(XX65-25)、XX256-15(XX257-15)、XX512-15等。 以XX256-15為例，其中“256”表示容量(單位為Kbit)，“15”表示存取時間(單位為 ns)。 在表示SRAM存儲器容量的數(shù)值中，“64”與“65”相同，都表示該芯片的容量為64Kbit， 即8KB。同理，“256”與“257”的含義也相同，即該芯片的容量為32KB。

　　例如在華碩 PVI686SP3主板上使用的SRAM芯片為W24257AK-15，即該芯片的容量為32K×8位，存取速 度為15ns。 如何用軟件的方法檢測Cache? 檢測;高速緩存;Cache 介紹用軟件檢測Cache的方法 主板上Cache的大小和有無很難用一般方法判斷，尤其是有的主板連BIOS都被不法經(jīng)銷商 修改過以方便作假。486時代常用的拔插法現(xiàn)在也不靈了——奔騰主板上很多標稱256K的 Cache芯片都是直接SMT(表面安裝)上去的，無法拔插。測試Cache的軟件確實有一些，如 CCT等，但普通用戶很難得到這些專業(yè)軟件。