現(xiàn)在計算機硬件制造已經(jīng)算比較成熟了，現(xiàn)有的DDR4和DDR5內(nèi)存條，也正在不斷創(chuàng)造普及條件，如果你不明白如何區(qū)別DDR1/DDR2/DDR3內(nèi)存條，可以閱讀下文了解DDR、DDR2和DDR3之間的區(qū)別和分辨方法。

　　如何區(qū)別DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存條?

　　科技在進(jìn)步，當(dāng)然內(nèi)存條的生產(chǎn)技術(shù)也在發(fā)展，這就導(dǎo)致了DDR1、DDR2、DDR3內(nèi)存條的產(chǎn)生，各代差別如下：

　　ddr 1，2，3代內(nèi)存的外觀區(qū)別

　　DDR1：

　　一個缺口、單面92針腳、雙面184針腳、左52右40、內(nèi)存顆粒長方形。

　　DDR2：

　　一個缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左64右56、內(nèi)存顆粒正方形、電壓1.8V。

　　DDR3：

　　一個缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左72右48、內(nèi)存顆粒正方形、電壓1.5V。

　　其工作電壓一直在降低，因此在性能提升的同時，功耗也在逐漸變小。

　　至于說到主板上的插槽，三者都不一樣，在內(nèi)存接口上有一個小缺口，DDR DDR2 DDR3內(nèi)存的每種內(nèi)存的接口都不會同一位置，因此只能插在購買時得先看好主板上插槽支持那種內(nèi)存再進(jìn)行購買內(nèi)存。而且這三種內(nèi)存條是不能兼容。

　　DDR DDR2 DDR3在內(nèi)存容量上的區(qū)別

　　現(xiàn)在家用電腦誰不是2G的?8G以上的都不少見吧?一些游戲玩家最低要求都是4G吧?如果這事放在零幾年那時誰信?

　　DDR1最小的內(nèi)存只有64M最大的也只有1G的容量，2代的DDR 最少的是256M最大的都已經(jīng)是4M了。當(dāng)然DDR2 4G用的人少一般常見的都是1Gx2這樣使用的。而DDR3現(xiàn)在最小的都是512M最大的都已經(jīng)是8G了。一般都是4Gx2這樣使用?；蛘?Gx2這樣使用。

　　DDR DDR2 DDR3在封裝區(qū)別

　　早期的DDR封閉顆粒是TSOP，而從DDR2和DDR3開始使用FBGA封裝，而DDR2使用的是8bit芯片使用60球/68球/84球FBGA封裝三種規(guī)格，而DDR3采用的是16bit芯片使用96球FBGA封裝，而且DDR3必須是綠色封裝，不能包含任何有害的物質(zhì)。

　　參考電壓分成兩個在DDR3系統(tǒng)中，對于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級。

　　DDR DDR2 DDR3在突發(fā)長度(BurstLength，BL)

　　由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期(BurstLength，BL)也固定為8，平而DDR的傳輸周期是2，而DDR2是4。

　　DDR DDR2 DDR3在邏輯Bank數(shù)量上的區(qū)別

　　DDR中有2個Bank和4個Bank。DDR2有4個Bank和8個Bank。而到DDR3的時候已經(jīng)是8個Bank和16個Bank了。目前就是應(yīng)對未來大容量芯片的要求，而DDR3很可能將從2G起步，因此邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。

　　DDR DDR2 DDR3的尋址時序區(qū)別(Timing)

　　延遲周期數(shù)從DDR一代到二代再到三代內(nèi)存一加一直在增加，三代內(nèi)存的CL周期也將比二代內(nèi)存有相應(yīng)的提高。二代內(nèi)存的CL范圍一般在2到5之間，而二代內(nèi)存已經(jīng)增加到5到11之間，并且三代內(nèi)存延遲(AL)的設(shè)計也有所變化。二代內(nèi)存時AL的范圍是0到4，而三代內(nèi)存時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，三代內(nèi)存還新增加了一個時序參數(shù)-寫入延遲。

　　補充：內(nèi)存常見維護(hù)保養(yǎng)技巧

　　1.對于由灰塵引起的內(nèi)存金手指、顯卡氧化層故障，大家應(yīng)用橡皮或棉花沾上酒精清洗，這樣就不會黑屏了。

　　2.關(guān)于內(nèi)存混插問題，在升級內(nèi)存時，盡量選擇和你現(xiàn)有那條相同的內(nèi)存，不要以為買新的主流內(nèi)存會使你的電腦性能很多，相反可能出現(xiàn)很多問題。內(nèi)存混插原則：將低規(guī)范、低標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存插入第一內(nèi)存插槽(即DIMM1)中。

　　3.當(dāng)只需要安裝一根內(nèi)存時，應(yīng)首選和CPU插座接近的內(nèi)存插座，這樣做的好處是：當(dāng)內(nèi)存被CPU風(fēng)扇帶出的灰塵污染后可以清潔，而插座被污染后卻極不易清潔。

　　4.安裝內(nèi)存條，DIMM槽的兩旁都有一個卡齒，當(dāng)內(nèi)存缺口對位正確，且插接到位了之后，這兩個卡齒應(yīng)該自動將內(nèi)存“咬”住。 DDR內(nèi)存金手指上只有一個缺口，缺口兩邊不對稱，對應(yīng)DIMM內(nèi)存插槽上的一個凸棱，所以方向容易確定。而對于以前的SDR而言，則有兩個缺口，也容易確定方向，不過SDR已經(jīng)漸漸淡出市場，了解一下也無妨;而拔起內(nèi)存的時候，也就只需向外搬動兩個卡齒，內(nèi)存即會自動從DIMM(或RIMM)槽中脫出。

　　相關(guān)閱讀：常用內(nèi)存條辨別真?zhèn)畏椒?/h2>

　　查看內(nèi)存標(biāo)簽：正品金士頓內(nèi)存標(biāo)簽印刷清晰規(guī)則，而假貨則明顯粗糙淺淡，字體顯得比較單薄。另外，真假金士頓內(nèi)存標(biāo)簽的排版規(guī)則也有很大出入，請仔細(xì)觀察。

　　查看內(nèi)存顆粒：通過圖片中金士頓內(nèi)存顆?？梢郧逦闯?，正品金士頓內(nèi)存顆粒印刷清晰，而假內(nèi)存的顆粒則非常暗淡，與正品形成鮮明對比。對于一款內(nèi)存，PCB電路板僅占內(nèi)存成本的百分之十左右，而內(nèi)存顆粒才是決定內(nèi)存價格的重點。因此，通常假貨的PCB基本也是正規(guī)代工廠制造，而顆粒則采用行話里的“白片”，就是我們所說的次品，價格低廉，但穩(wěn)定性和兼容性很差。

　　查看注冊商標(biāo)標(biāo)識：正品金士頓的注冊商標(biāo)“R”的周圍清楚的印有由"KINGSTON"英文字母組成的圓圈，而假貨則明顯胡亂仿制的一個圓框而已。還有一點，仔細(xì)觀察標(biāo)簽內(nèi)部的水印，假內(nèi)存水印和KINGSTON字體銜接處都有明顯的痕跡，證明是后印刷的，這在正品金士頓內(nèi)存中是不會出現(xiàn)的。

　　金手指辨認(rèn)：下為正品金士頓內(nèi)存的金手指。正品金士頓內(nèi)存的金手指色澤純正、紫色方框內(nèi)的金手指連接部位經(jīng)過鍍金;假冒金士頓內(nèi)存的金手指色澤略顯暗淡，紅色方框內(nèi)的金手指連接處為PCB板的銅片，并未鍍金。

　　PCB板上的字體辨認(rèn)：左為正品金士頓內(nèi)存。正品金士頓內(nèi)存的字體均勻，無明顯大小區(qū)別，并且有相關(guān)的認(rèn)證符號。假冒金士頓內(nèi)存的字體不一，無相關(guān)認(rèn)證符號。

　　K字標(biāo)簽：這是使用單反相機進(jìn)行微距拍攝，同時打開閃光燈拍攝真假標(biāo)簽，正品標(biāo)簽的鐳射圖案能看出密集的銀粉顆粒，K字并不明顯，背景呈藍(lán)色。而假冒標(biāo)簽的K字十分明顯，銀粉顆粒的密度較低。

　　翻轉(zhuǎn)角度查看防偽：正品金士頓內(nèi)存的鐳射防偽標(biāo)簽，通過變換角度能呈現(xiàn)出兩種圖案，第一種圖案為上半沿帶銀粉效果，下半沿呈半個K漬;第二種圖案為下半沿帶銀粉效果，上半沿呈半個K字。而假冒標(biāo)簽就只有一種圖案，就是整個呈現(xiàn)出來一個很明顯的K字。

　　查詢序列號：驗證方式內(nèi)存產(chǎn)品編輯短信“M+產(chǎn)品SN序列號”發(fā)送至0212 333 0345

　　按照金士頓官方的說法，我輸入“M36785241571636”發(fā)到“02123330345”即可查詢內(nèi)存真?zhèn)?