內(nèi)存條如何挑選
內(nèi)存條如何挑選
你們知道怎么挑選內(nèi)存條嗎?下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來內(nèi)存條如何挑選的內(nèi)容，歡迎閱讀!
內(nèi)存條挑選方法：
筆記本內(nèi)存就是應(yīng)用于筆記本電腦的內(nèi)存產(chǎn)品，筆記本內(nèi)存只是使用的環(huán)境與臺式機內(nèi)存不同，在工作原理方面并沒有什么區(qū)別。只是因為筆記本電腦對內(nèi)存的穩(wěn)定性、體積、散熱性方面的需求，筆記本內(nèi)存在這幾方面要優(yōu)于臺式機內(nèi)存，價格方面也要高于臺式機內(nèi)存。
筆記本誕生于臺式機的486年代，在那個時代的筆記本電腦，所采用的內(nèi)存各不相同，各種品牌的機型使用的內(nèi)存千奇百怪，甚至同一機型的不同批次也有不同的內(nèi)存，規(guī)格極其復(fù)雜，有的機器甚至使用PCMICA閃存卡來做內(nèi)存。進入到臺式機的586時代，筆記本廠商開始推廣72針的SO DIMM標準筆記本內(nèi)存，而市場上還同時存在著多種規(guī)格的筆記本內(nèi)存，諸如：72針5伏的FPM;72針5伏的EDO;72針3.3伏的FPM;72針3.3伏的EDO。此幾種類型的筆記本內(nèi)存都已成為"古董"級的寶貝，早已在市場內(nèi)消失了。在進入到"奔騰"時代，144針的3.3伏的EDO標準筆記本內(nèi)存。在往后隨著臺式機內(nèi)存中SDRAM的普及，筆記本內(nèi)存也出現(xiàn)了144針的SDRAM?，F(xiàn)在DDR的筆記本內(nèi)存也在市面中較為普遍了，而在一些輕薄筆記本內(nèi)，還有些機型使用與普通機型不同的Micro DIMM接口內(nèi)存。
對于多數(shù)的筆記本電腦都并沒有配備單獨的顯存，而是采用內(nèi)存共享的形式，內(nèi)存要同時負擔(dān)內(nèi)存和顯存的存儲作用，因此內(nèi)存對于筆記本電腦性能的影響很大。
服務(wù)器是企業(yè)信息系統(tǒng)的核心，因此對內(nèi)存的可靠性非常敏感。服務(wù)器上運行著企業(yè)的關(guān)鍵業(yè)務(wù)，內(nèi)存錯誤可能造成服務(wù)器錯誤并使數(shù)據(jù)永久丟失。因此服務(wù)器內(nèi)存在可靠性方面的要求很高，所以服務(wù)器內(nèi)存大多都帶有Buffer(緩存器)，Register(寄存器)，ECC(錯誤糾正代碼)，以保證把錯誤發(fā)生可能性降到最低。服務(wù)器內(nèi)存具有普通PC內(nèi)存所不具備的高性能、高兼容性和高可靠性。
內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz(兆赫)為單位來計量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內(nèi)存頻率室333MHz和400MHz的DDR內(nèi)存，以及533MHz和667MHz的DDR2內(nèi)存。
大家知道，計算機系統(tǒng)的時鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振蕩器控制著時鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動起來，這一震動可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動以正弦調(diào)和變化的電流的形式表現(xiàn)出來，這一變化的電流就是時鐘信號。而內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器，因此內(nèi)存工作時的時鐘信號是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時鐘發(fā)生器提供的，也就是說內(nèi)存無法決定自身的工作頻率，其實際工作頻率是由主板來決定的。
DDR內(nèi)存和DDR2內(nèi)存的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是內(nèi)存顆粒實際的工作頻率，但是由于DDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的兩倍;而DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以四倍于工作頻率的速度讀/寫數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz;DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。
內(nèi)存異步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是內(nèi)存工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為內(nèi)存異步工作模式。首先，最早的內(nèi)存異步工作模式出現(xiàn)在早期的主板芯片組中，可以使內(nèi)存工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是簡單相差33MHz)，從而可以提高系統(tǒng)內(nèi)存性能或者使老內(nèi)存繼續(xù)發(fā)揮余熱。其次，在正常的工作模式(CPU不超頻)下，目前不少主板芯片組也支持內(nèi)存異步工作模式，例如Intel 910GL芯片組，僅僅只支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(注意此時其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經(jīng)相差66MHz了)，只不過搭配不同的內(nèi)存其性能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使內(nèi)存拖CPU超頻能力的后腿，此時可以調(diào)低內(nèi)存的工作頻率以便于超頻，例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻，不少產(chǎn)品的外頻都可以輕松超上300MHz，而此如果在內(nèi)存同步的工作模式下，此時內(nèi)存的等效頻率將高達DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主板BIOS中把內(nèi)存設(shè)置為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之后，前者也不過才DDR 500(某些極品內(nèi)存可以達到)，而后者更是只有DDR 400(完全是正常的標準頻率)，由此可見，正確設(shè)置內(nèi)存異步模式有助于超頻成功。
目前的主板芯片組幾乎都支持內(nèi)存異步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持，而威盛公司則從693芯片組以后全部都提供了此功能。
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