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      怎么看內(nèi)存條高低壓

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        本次測試所用標壓內(nèi)存為1333MHz,低壓內(nèi)存為1600MHz,唯一變量是內(nèi)存電壓,但在內(nèi)存頻率不同帶來的性能差距是非常小的,所以對于本次測試,它對結果的影響不會太大。測試結果依然具有參考有意義。使用AIDA64的內(nèi)存測試工具進行跑分測試,分四種不同的組合方式,測試筆記本為聯(lián)想Y50,其測試結果如下。 結果顯示,在單條跑分測試中,標壓海盜船內(nèi)存條以微弱的優(yōu)勢取勝。

        單條成績差異不大,我們再來看雙通道情況下的測試成績,由于我們現(xiàn)有的另外一條標壓內(nèi)存為2GB容量,所以在本環(huán)節(jié)中采用2根低壓內(nèi)存同低壓+標壓內(nèi)存的混搭方式進行對比。結果顯示,在這一環(huán)節(jié)中,兩根低壓內(nèi)存組成的雙通道在讀取、寫入和復制環(huán)節(jié)中都有大幅優(yōu)勢,而在L1、L2以及L3級緩存的測試中則沒有太多差別。由于兩根低壓內(nèi)存的時序以及頻率等都完全相同,所以其成績表現(xiàn)是符合預期標準的。而標壓和低壓內(nèi)存的混搭組合帶來了太多的變量,但其成績也沒有太過糟糕

        眾多廠家選擇使用低壓內(nèi)存更多的原因是由于低壓內(nèi)存相比標壓內(nèi)存擁有更客觀的發(fā)熱量,這一點對于輕薄筆記本來說至關重要。同樣,我們采用實際測試的方式進行對比,測試所用筆記本為Acer 4750G,結果表明無論在哪個環(huán)節(jié)中低壓內(nèi)存的發(fā)熱表現(xiàn)都比標壓內(nèi)存更加優(yōu)秀,在滿載時候的標壓內(nèi)存比低壓內(nèi)存整整高出了4.6攝氏度

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