硬盤多少溫度正常
多磁頭技術(shù):通過在同一碟片上增加多個(gè)磁頭同時(shí)的讀或?qū)憗頌橛脖P提速,或同時(shí)在多碟片同時(shí)利用磁頭來讀或?qū)憗頌榇疟P提速,多用于服務(wù)器和數(shù)據(jù)庫(kù)中心。下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來的關(guān)于硬盤多少溫度正常的內(nèi)容,歡迎閱讀!
硬盤多少溫度正常:
理論上來講硬盤的溫度在30-50度之間是正常溫度,如果通過魯大師檢測(cè)到溫度在該范圍之間的話就算正常了。但是不能超過最高極限溫度70度,如果超過了70度的話,就會(huì)對(duì)硬盤造成損害的可能性了。那么必須檢測(cè)造成硬盤高溫的具體原因,然后具體解決了。
造成硬盤高溫的原因:
主要是硬盤的工作環(huán)境息息相關(guān)了。所有到了夏天的時(shí)候出現(xiàn)硬盤高溫的可能性要高??赡芙?jīng)常性的會(huì)達(dá)到60度以上,雖然說不會(huì)造成硬盤受損,但是長(zhǎng)時(shí)間的高溫工作的話,是會(huì)減少硬盤的壽命的。而且還會(huì)造成硬盤讀取數(shù)據(jù)出現(xiàn)不穩(wěn)定導(dǎo)致錯(cuò)誤的情況,所有還是需要定時(shí)的檢測(cè)硬盤的溫度才是上策。關(guān)于硬盤散熱的話,其實(shí)跟cpu散熱方法一樣,為其加個(gè)風(fēng)扇加快空氣的流動(dòng),這樣使對(duì)溫度是有所影響的。
硬盤是電腦主要的存儲(chǔ)媒介之一,由一個(gè)或者多個(gè)鋁制或者玻璃制的碟片組成。碟片外覆蓋有鐵磁性材料。
硬盤有固態(tài)硬盤(SSD 盤,新式硬盤)、機(jī)械硬盤(HDD 傳統(tǒng)硬盤)、混合硬盤(HHD 一塊基于傳統(tǒng)機(jī)械硬盤誕生出來的新硬盤)。SSD采用閃存顆粒來存儲(chǔ),HDD采用磁性碟片來存儲(chǔ),混合硬盤(HHD: Hybrid Hard Disk)是把磁性硬盤和閃存集成到一起的一種硬盤。絕大多數(shù)硬盤都是固定硬盤,被永久性地密封固定在硬盤驅(qū)動(dòng)器中。
磁頭復(fù)位節(jié)能技術(shù):通過在閑時(shí)對(duì)磁頭的復(fù)位來節(jié)能。
多磁頭技術(shù):通過在同一碟片上增加多個(gè)磁頭同時(shí)的讀或?qū)憗頌橛脖P提速,或同時(shí)在多碟片同時(shí)利用磁頭來讀或?qū)憗頌榇疟P提速,多用于服務(wù)器和數(shù)據(jù)庫(kù)中心。
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磁頭數(shù)
硬盤磁頭是硬盤讀取數(shù)據(jù)的關(guān)鍵部件,它的主要作用就是將存儲(chǔ)在硬盤盤片上的磁信息轉(zhuǎn)化為電信號(hào)向外傳輸,而它的工作原理則是利用特殊材料的電阻值會(huì)隨著磁場(chǎng)變化的原理來讀寫盤片上的數(shù)據(jù),磁頭的好壞在很大程度上決定著硬盤盤片的存儲(chǔ)密度。比較常用的是GMR(Giant Magneto Resisive)巨磁阻磁頭,GMR磁頭的使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu),這比以前的傳統(tǒng)磁頭和MR(Magneto Resisive)磁阻磁頭更為敏感,相對(duì)的磁場(chǎng)變化能引起來大的電阻值變化,從而實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度。
磁頭是硬盤中對(duì)盤片進(jìn)行讀寫工作的工具,是硬盤中最精密的部位之一。磁頭是用線圈纏繞在磁芯上制成的。硬盤在工作時(shí),磁頭通過感應(yīng)旋轉(zhuǎn)的盤片上磁場(chǎng)的變化來讀取數(shù)據(jù);通過改變盤片上的磁場(chǎng)來寫入數(shù)據(jù)。為避免磁頭和盤片的磨損,在工作狀態(tài)時(shí),磁頭懸浮在高速轉(zhuǎn)動(dòng)的盤片上方,而不與盤片直接接觸,只有在電源關(guān)閉之后,磁頭會(huì)自動(dòng)回到在盤片上的固定位置(稱為著陸區(qū),此處盤片并不存儲(chǔ)數(shù)據(jù),是盤片的起始位置)。
薄膜感應(yīng)磁頭
在1990年至1995年間,硬盤采用TFI讀/寫技術(shù)。TFI磁頭實(shí)際上是繞線的磁芯。盤片在繞線的磁芯下通過時(shí)會(huì)在磁頭上產(chǎn)生感應(yīng)電壓。TFI讀磁頭之所以會(huì)達(dá)到它的能力極限,是因?yàn)樵谔岣叽澎`敏度的同時(shí),它的寫能力卻減弱了。
AMR磁頭
AMR(Anisotropic Magneto Resistive)90年代中期,希捷公司推出了使用AMR磁頭的硬盤。AMR磁頭使用TFI磁頭來完成寫操作,但用薄條的磁性材料來作為讀元件。在有磁場(chǎng)存在的情況下,薄條的電阻會(huì)隨磁場(chǎng)而變化,進(jìn)而產(chǎn)生很強(qiáng)的信號(hào)。硬盤譯解由于磁場(chǎng)極性變化而引起的薄條電阻變化,提高了讀靈敏度。AMR磁頭進(jìn)一步提高了面密度,而且減少了元器件數(shù)量。由于AMR薄膜的電阻變化量有一定的限度,AMR技術(shù)最大可以支持3.3GB/平方英寸的記錄密度,所以AMR磁頭的靈敏度也存在極限。這導(dǎo)致了GMR磁頭的研發(fā)。GMR(Giant
巨磁阻
GMR磁頭繼承了TFI磁頭和AMR磁頭中采用的讀/寫技術(shù)。但它的讀磁頭對(duì)于磁盤上的磁性變化表現(xiàn)出更高的靈敏度。GMR磁頭是由4層導(dǎo)電材料和磁性材料薄膜構(gòu)成的:一個(gè)傳感層、一個(gè)非導(dǎo)電中介層、一個(gè)磁性的栓層和一個(gè)交換層。GMR傳感器的靈敏度比AMR磁頭大3倍,所以能夠提高盤片的密度和性能。
硬盤的磁頭數(shù)取決于硬盤中的碟片數(shù),盤片正反兩面都存儲(chǔ)著數(shù)據(jù),所以一個(gè)盤片對(duì)應(yīng)兩個(gè)磁頭才能正常工作。比如總?cè)萘?0GB的硬盤,采用單碟容量80GB的盤片,那只有一張盤片,該盤片正反面都有數(shù)據(jù),則對(duì)應(yīng)兩個(gè)磁頭;而同樣總?cè)萘?20GB的硬盤,采用二張盤片,則只有三個(gè)磁頭,其中一張盤片的一面沒有磁頭。
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