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      內(nèi)存參數(shù)的詳細(xì)介紹

      時間: 孫勝龍652 分享

      內(nèi)存參數(shù)的詳細(xì)介紹

        內(nèi)存大家都知道,是電腦硬件的一種,那么,內(nèi)存中的參數(shù),大家了解嗎?學(xué)習(xí)啦小編在這里給大家詳細(xì)介紹內(nèi)存里的參數(shù)是什么。

        1.工作頻率

        內(nèi)存的工作頻率即該內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。例如PC100標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存頻率是100MHz,PC133的頻率是133MHz。而DDR內(nèi)存它是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,由于它是在同頻的SDRAM的基礎(chǔ)上的數(shù)據(jù)雙倍傳送,那么它的帶寬就比同頻的SDRAM多一倍,例如DDR266內(nèi)存它以133MHz運(yùn)行時其實(shí)際工作頻率就是266MHz,帶寬就是2.1GB/S。

        如果你要買一根DDR333的內(nèi)存,商家卻拿了一根DDR266的給你,比較簡單可行的辨別辦法是,可從DDR內(nèi)存的存取時間上來了解,例如-7和-7.5納秒的一般為DDR266的內(nèi)存,-6納秒的一般為DDR333的內(nèi)存,-5納秒一般為DDR400內(nèi)存。

        而DDR的后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)DDRII同DDR相比更加先進(jìn),它在DDR數(shù)據(jù)雙倍傳送的基礎(chǔ)上發(fā)展成為數(shù)據(jù)四倍傳送,比DDR又快了一倍!如果同樣運(yùn)行在133MHz的外頻下,其工作頻率為532MHz/S,它的帶寬就可達(dá)4.2GB/S。

        2.CAS值

        大家知道,內(nèi)存有個CAS(Column Address Strobe,列地址選通脈沖)延遲時間,內(nèi)存在存儲信息時就象一個大表格一樣,通過行(Column)和列(Row)來為所有存儲在內(nèi)存里的信息定位,CL就是指要多少個時鐘周期后才能找到相應(yīng)的位置。

        對于SDRAM而言一般有2和3兩個值選擇,而DDR內(nèi)存可分為2和2.5兩種。CAS值越小越好,也就是說DDR內(nèi)存值為2的產(chǎn)品性能要好于2.5的產(chǎn)品,如果你需要的是CAS值為2的產(chǎn)品,那么大家在選擇時要注意JS用2.5的產(chǎn)品做2的產(chǎn)品來賣給大家(可實(shí)際使用或用內(nèi)存測試軟件進(jìn)行測試)。

        3.內(nèi)存的標(biāo)示常識

        此外,了解一些DDR內(nèi)存芯片的編號知識也能讓大家更深的了解DDR內(nèi)存。下面我們就以最常見的HY的DDR內(nèi)存為例為大家做一講解:

        HY XX X XX XX XX X X X X X-XX

        1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

        1:代表HY的廠標(biāo)

        2:為內(nèi)存芯片類型—5D:DDR SDRAMS

        3:工藝與工作電壓—V:CMOS,3.3V;U:CMOS,2.5V

        4:芯片容量和刷新速率—64:64MB,4kref;66:64MB,2kref;28:128MB,4kref;56:256MB,8kref;12 :512MB,8kref

        5: 芯片結(jié)構(gòu)(數(shù)據(jù)寬度)—4:X4(數(shù)據(jù)寬度4bit);8:x8;16:x16;32:x32

        6:BANK數(shù)量—1:2BANKs;2:4BANKs

        7:I/O界面—1:SSTL_3;2:SSTL_2

        8:芯片內(nèi)核版本—空白:第一代;A:第二代;B:第三代;C:第四代

        9:能量等級—空白:普通;L:低能耗

        10:封裝形式—T:TSOP;Q:TQFP;L:CSP(LF-CSP);F:FBGA

        11:工作速度—33:300MHz;4:250MHz;43:233MHz;45:222MHz;5:200MHz;55:183MHz;K:DDR266A;H:DDR266B;L:DDR200

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