電腦內(nèi)存硬件小知識(shí)
電腦內(nèi)存硬件的相關(guān)知識(shí)有哪些？理論上，內(nèi)存“越大越好”是沒(méi)有錯(cuò)的，但是有時(shí)候很多內(nèi)存空間用不上，就顯得很雞肋，下面就讓小編帶你去看看關(guān)于電腦內(nèi)存硬件的相關(guān)知識(shí)吧，希望能幫助到大家!
防奸商，學(xué)點(diǎn)內(nèi)存知識(shí)
一、什么是DDR?
DDR，全稱：DDR SDRAM ，Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memary，即，雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體，也就是我們常用的內(nèi)存，它從SDRAM的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)，以后依次出現(xiàn)了DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM。它們的能效不斷提升。文章結(jié)尾附一張純良心內(nèi)存能效參數(shù)表。
圖2 DDR家族的一員
二、DDR間有什么區(qū)別?
1、SDRAM
SDRAM內(nèi)部組成如，可見(jiàn)其組成可以分為幾個(gè)部分，存儲(chǔ)陣列、IO門控單元、行列地址解碼器、行列地址鎖存器、邏輯控制單元(包含模式寄存器)、數(shù)據(jù)輸入輸出寄存器等。
圖3 SDRAM結(jié)構(gòu)圖
存儲(chǔ)矩陣內(nèi)部結(jié)構(gòu)，以8位內(nèi)存單元為例，每個(gè)內(nèi)存單元的數(shù)據(jù)輸出是并聯(lián)在一起，通過(guò)行列地址線選中一個(gè)存儲(chǔ)單元。
圖4 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)圖
存儲(chǔ)容量大小和數(shù)據(jù)位寬度、行地址、列地址、塊數(shù)量等的關(guān)系
2、DDR SDRAM
圖5 DDR SDRAM 結(jié)構(gòu)圖
DDR的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與SDRAM相比，數(shù)據(jù)讀寫(xiě)部分改進(jìn)比較大。其一，使用了兩位預(yù)讀取的技術(shù);其二，增加了DLL(delay lock loop演示鎖定回路);其三，增加了數(shù)據(jù)掩碼控制和數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)控制;此外，時(shí)鐘信號(hào)和數(shù)據(jù)選通信號(hào)改為差分信號(hào)。
3、DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM整體布局變化不大，在輸入輸出數(shù)據(jù)總線接口上變化比較多。
圖6 DDR2 SDRAM結(jié)構(gòu)圖
DDR2在DDR的基礎(chǔ)上增加了ODT(on-die termination片上終結(jié)，即通過(guò)內(nèi)部邏輯選擇合適的終端電阻進(jìn)行匹配)功能，預(yù)讀取提高到了4位，即每傳輸4個(gè)字節(jié)/字，只有第一個(gè)字節(jié)/字有潛伏期。
4、DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAM在輸入輸出數(shù)據(jù)總線接口上繼續(xù)提升性能，在存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)上改進(jìn)工藝，堆疊更多的存儲(chǔ)塊，提高單顆芯片的容量。
在功能上的改進(jìn)有，增加了讀寫(xiě)平衡功能。
圖7 讀寫(xiě)時(shí)序平衡關(guān)系
5、DDR4 SDRAM
DDR4 SDRAM在輸入輸出數(shù)據(jù)總線接口上繼續(xù)改善性能，在存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)上繼續(xù)改進(jìn)工藝，不僅堆疊更多的存儲(chǔ)塊，而且使用硅片穿孔工藝把把堆疊成的存儲(chǔ)塊進(jìn)行并列放置，集中到一顆芯片中，提高單顆芯片的容量。
圖8 DDR4 SDRAM
6、結(jié)尾與附錄
以上便是關(guān)于DDR的幾點(diǎn)小知識(shí)，站在理論的制高點(diǎn)，結(jié)合網(wǎng)上相關(guān)防偽攻略，能讓我們更有效的維護(hù)自身權(quán)益。
內(nèi)存的一些簡(jiǎn)單入門知識(shí)
首先是大家都知道的，也是百度百科的資料，內(nèi)存是什么?
內(nèi)存條是連接CPU 和其他設(shè)備的通道，起到緩沖和數(shù)據(jù)交換作用。 當(dāng)CPU在工作時(shí)，需要從硬盤等外部存儲(chǔ)器上讀取數(shù)據(jù)，但由于硬盤這個(gè)“倉(cāng)庫(kù)”太大，加上離CPU也很“遠(yuǎn)”，運(yùn)輸“原料”數(shù)據(jù)的速度就比較慢，導(dǎo)致CPU的工作效率大打折扣!為了解決這個(gè)問(wèn)題，人們便在CPU與外部存儲(chǔ)器之間，建了一個(gè)“小倉(cāng)庫(kù)”——內(nèi)存。
內(nèi)存的特點(diǎn)是存儲(chǔ)速度快。內(nèi)存是電腦中的主要部件，它是相對(duì)于外存而言的。我們平常使用的程序，如QQ、瀏覽器、游戲，包括WINDOWS系統(tǒng)，一般都是安裝在硬盤等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調(diào)入內(nèi)存中運(yùn)行，才能真正使用其功能，我們平時(shí)輸入一段文字，或玩一個(gè)游戲，其實(shí)都是在內(nèi)存中進(jìn)行的。就好比在一個(gè)書(shū)房里，存放書(shū)籍的書(shū)架或書(shū)柜相當(dāng)于電腦的外存，而我們工作的辦公室就是內(nèi)存。通常我們把要永久保存的、大量的數(shù)據(jù)存在外存上，當(dāng)然內(nèi)存的好壞會(huì)直接影響電腦的運(yùn)行速度。
內(nèi)存的發(fā)展歷史
內(nèi)存分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，它的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，我們平時(shí)說(shuō)的內(nèi)存就是指這一種;后者又叫只讀存儲(chǔ)器，我們平時(shí)開(kāi)機(jī)首先啟動(dòng)的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去調(diào)用硬盤中的Windows，ROM的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。
而我們平時(shí)所說(shuō)的“內(nèi)存條”則隸屬于DRAM類別下的SDRAM家族。
第一代 SDR SDRAM
第二代 DDR SDRAM
第三代 DDR2 SDRAM
第四代 DDR3 SDRAM
第五代DDR4 SDRAM
我們現(xiàn)在常用的DDR4就是第五代內(nèi)存了!
關(guān)于內(nèi)存頻率、時(shí)序還有電壓的一些解釋
所謂內(nèi)存頻率，就是我們經(jīng)常說(shuō)的某某品牌，DDR4 2133、2400、2666…等等，后面這些數(shù)字就是內(nèi)存頻率。
一般情況下，內(nèi)存頻率的高低，決定了內(nèi)存性能的強(qiáng)弱。內(nèi)存頻率越高，內(nèi)存帶寬也就越高，正常工作的速度會(huì)更快。
關(guān)于內(nèi)存時(shí)序，也就是我們?cè)贑PU-Z里面所看到的數(shù)字了。
內(nèi)存時(shí)序是描述內(nèi)存條性能的一種參數(shù)，一般存儲(chǔ)在內(nèi)存條的SPD中。這些參數(shù)設(shè)置的越小，內(nèi)存處理數(shù)據(jù)越快，但是也越不穩(wěn)定;反之較慢，但是穩(wěn)定性提高，因此需要設(shè)置合適的內(nèi)存時(shí)序。一般DDR4 2133的內(nèi)存默認(rèn)時(shí)序是15-15-15-35…
關(guān)于內(nèi)存電壓，每代內(nèi)存電壓都是有一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)范圍的。比如我們現(xiàn)在用的DDR4內(nèi)存電壓默認(rèn)為1.2V，超頻也最好不要超過(guò)1.5V;而DDR3的內(nèi)存則是從1.5-2.0V;DDR2則是2V起步。
現(xiàn)在內(nèi)存所支持的__MP是什么?
Intel __MP全名是E__treme Memory Profile，是針對(duì)DDR3模塊而推出的一項(xiàng)認(rèn)證。
其主要功能就是高階的內(nèi)存設(shè)定，內(nèi)存廠商除了會(huì)在內(nèi)存預(yù)設(shè)普通的SPD值外，另外亦會(huì)寫(xiě)入更為高速的設(shè)定。當(dāng)然，廠商們可以任意替旗下的內(nèi)存模塊寫(xiě)進(jìn)更加高速的設(shè)定，但這樣就沒(méi)有任何穩(wěn)定性的保證及標(biāo)準(zhǔn)，所以業(yè)界便引入__MP設(shè)計(jì)。
__MP會(huì)在內(nèi)存地址176-254中記錄內(nèi)存的速度，而最多可以保存2組的設(shè)定值。廠商們?nèi)缧枰玫絖_MP的認(rèn)證，就必須把內(nèi)存及該設(shè)定送交Intel測(cè)試，通過(guò)后就會(huì)給予認(rèn)證。Intel推出這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，其主要用意是針對(duì)高效能市場(chǎng)，玩家使用具備了__MP的內(nèi)存，就能夠直接提升工作平臺(tái)的效能。
內(nèi)存延遲意味著內(nèi)存的反應(yīng)速度。我們知道，CPU讀寫(xiě)內(nèi)存的事情，首先是要告訴內(nèi)存，要讀寫(xiě)某個(gè)地址的數(shù)據(jù)，意味著CPU要先發(fā)送某個(gè)地址代碼給內(nèi)存，內(nèi)存接收到后，編譯準(zhǔn)備好的這段時(shí)間為內(nèi)存延遲時(shí)間。
當(dāng)內(nèi)存準(zhǔn)備好了數(shù)據(jù)反饋給CPU，CPU開(kāi)始讀寫(xiě)內(nèi)存，這時(shí)候，內(nèi)存的帶寬是主要作用，一直到數(shù)據(jù)傳輸完成，然后重復(fù)上一步操作，這就是內(nèi)存和CPU的工作原理(簡(jiǎn)單通俗的講，實(shí)際比這個(gè)復(fù)雜多了)
所以我們可以分兩種情況，當(dāng)CPU讀寫(xiě)內(nèi)存數(shù)據(jù)量很大，而且是連續(xù)的時(shí)候，內(nèi)存帶寬影響最大;當(dāng)CPU讀寫(xiě)的內(nèi)存數(shù)據(jù)非常零碎，且零碎數(shù)據(jù)很多，這時(shí)候的低延遲的內(nèi)存速度回更快。
這也解釋了核顯對(duì)于雙通道高頻內(nèi)存的需求，圖形數(shù)據(jù)一般都是大量并且連續(xù)的，AMD的APU需要高頻雙內(nèi)存的原理，就是這么來(lái)的。
關(guān)于內(nèi)存超頻的一些問(wèn)題
內(nèi)存超頻跟內(nèi)存顆粒的體制是肯定有最為直接的關(guān)系的。然后還有就是主板bios的設(shè)計(jì)、主板bios的優(yōu)化水平，CPU集成的內(nèi)存控制器等等原因，都是有影響的!
我們所看到某些支持__MP內(nèi)存和主板，在某種程度上，可以認(rèn)為是廠商預(yù)先保留的超頻選擇，直接在bios開(kāi)啟即實(shí)現(xiàn)超頻。
當(dāng)然，我們普通的內(nèi)存一樣是可以超頻的，具體要看實(shí)際平臺(tái)和內(nèi)存等等來(lái)操作，基本原理也就是時(shí)序、頻率和電壓了，每個(gè)人的情況都不一樣，需要自己去調(diào)試才行。
內(nèi)存知多少?內(nèi)存知識(shí)盲區(qū)詳解
1、為什么內(nèi)存能對(duì)游戲幀數(shù)造成影響?
這個(gè)問(wèn)題其實(shí)非常簡(jiǎn)單，我們都知道電腦中的CPU是負(fù)責(zé)運(yùn)算和處理的，而內(nèi)存是用來(lái)交換數(shù)據(jù)的，只要游戲中的數(shù)據(jù)量較大，那么內(nèi)存就會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)滿載情況，而滿載就會(huì)導(dǎo)致游戲內(nèi)的幀數(shù)大幅度下降，這是非常典型的數(shù)據(jù)交互不及時(shí)所導(dǎo)致的。
2、雙通道內(nèi)存對(duì)游戲性能有哪些影響?
因?yàn)殡p通道體系的兩個(gè)內(nèi)存控制器是獨(dú)立的、具備互補(bǔ)性的智能內(nèi)存控制器，因此二者能實(shí)現(xiàn)彼此間零等待時(shí)間，同時(shí)運(yùn)作。兩個(gè)內(nèi)存控制器的這種互補(bǔ)“天性”可讓有效等待時(shí)間縮減50%，從而使內(nèi)存的帶寬翻倍。
所以，使用雙通道內(nèi)存進(jìn)行游戲時(shí)要比使用單通道內(nèi)存時(shí)的游戲幀數(shù)高，這是可以得到肯定的。
3、內(nèi)存不足時(shí)加裝內(nèi)存需要注意什么?
如果電腦本身只有單獨(dú)一根8G內(nèi)存，想要將其加裝成16G就需要購(gòu)買相同頻率的8G內(nèi)存，在這里需要特別注意，如果兩根內(nèi)存的頻率不一致，那么所導(dǎo)致的后果就是電腦只會(huì)按照最低頻率的內(nèi)存運(yùn)行。
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