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      光探測器技術論文(2)

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        光探測器技術論文篇二

        淺析光纖傳輸中的光探測器原理及應用

        摘要:通過光纖傳輸?shù)墓馊绻唤邮?,則變得無用而被舍棄。接收這種傳輸光的就是光探測器,包括放大器和補償器(整體就是接收機)。本文將討論光纖傳輸中的光探測器原理及應用。

        關鍵字:光纖傳輸 光探測器 光電二極管

        中圖分類號: TN913 文獻標識碼: A 文章編號:

        發(fā)射機發(fā)射的光信號經(jīng)光纖傳輸后,不僅幅度衰減了,而且脈沖波形也展寬了。光接收機的作用就是檢測經(jīng)過傳輸后的微弱光信號,并放大、整形、再生成原輸入信號。它的主要器件是利用光電效應把光信號轉變?yōu)殡娦盘柕墓馓綔y器。對光探測器的要求是靈敏度高、響應快、噪聲小、成本低和可靠性高,并且它的光敏面應與光纖芯徑匹配。用半導體材料制成的光探測器正好滿足這些要求。

        1 光探測器的原理

        1.1光功率和電信號

        發(fā)光二極管和半導體激光器的輸出頻譜是隨機起伏的。嚴格說來具有非相干性。但是,如果利用將光功率變?yōu)殡娦盘栯妷旱钠胀ǖ墓馓綔y器,以進行包絡線檢波,即使改變光頻譜,也能準確地讀取調(diào)制的電信號,這種普通的光探測器是把功率(與電壓的平方成正比)轉換為電信號,因而叫做平方律檢波。值得注意的是,應該解調(diào)的電信號大小所受損耗與光損耗的平方成正比。與此相反,正在研究的外插方式是利用相位干涉的方式,被認為是未來方式。

        1.2光探測器的條件

        光通信接收裝置需要將光信號變?yōu)殡娦盘柕墓馓綔y器(平方律檢波)。這種光探測器需要有如下特點:靈敏度要高(要與光的波長相對應);頻帶要寬(或要高速相應);附加噪聲要小;特性不因外界條件而變;不需要高壓電源。

        這種光探測器中有半導體光探測器,它使用PIN光電二極管(PD)、雪崩電二極管(APD等。

        1.3 PIN光電二極管

        (1)PIN光電二極管的原理

        PIN 二極管與 PN 二極管的主要區(qū)別是,在 P 和 N 層之間加入了一個 I 層,作為耗盡層。I 層的寬度較寬,約有(5 ~ 50)μm,可吸收絕大多數(shù)光子,使光生電流增加。

        當光入射到P+區(qū),則生成的電子或空穴對分別流向(+),(-)電極,形成光電流。為加快響應速度而施加反偏壓,但不能產(chǎn)生雪崩放大。雖無電流倍增作用,但有噪聲小的特點。

        1.4雪崩光電二極管(APD)的原理

        雪崩光電二極管(APD)是利用雪崩倍增效應使光電流得到倍增的高靈敏度探測器。APD的結構設計,使它能承受高的反向偏壓,從而在 PN 結內(nèi)部形成一個高電場區(qū)。APD能提供內(nèi)部增益,工作速度高,已廣泛應用于光通信系統(tǒng)中

        在APD中,因為在pn結有反偏壓,所以p+區(qū)或耗盡層P區(qū)所形成的載流子因電場而漂移,向電極方向匯集,以產(chǎn)生電流。此時若加大反偏壓,則產(chǎn)生雪崩效應,而使光電流倍增。在雪崩放大過程中,在光電流放大的同時產(chǎn)生過電流噪聲。

        2 MSM光電探測器

        金屬-半導體-金屬(MSM)光電探測器與PN結二極管結構不同,然而,它的光/電轉換的基本原理卻仍然相同,即入射光子產(chǎn)生電子-空穴對,電子-空穴對的流動就產(chǎn)生了光電流。

        2.1MSM光電探測器原理

        象手指狀的平面金屬電極沉淀在半導體的表面,這些電極交替地施加電壓,所以這些電極間存在著相當高的電場。光子撞擊電極間的半導體材料,產(chǎn)生電子-空穴對,然后電子被正極吸引過去,而空穴被負極吸引過去,于是就產(chǎn)生了電流。

        2.2 MSM光電探測器特點

        與PIN和APD探測器相比,這種結構的結電容小,所以它的帶寬大,這種器件很有可能工作在300GHz。另外它的制造也容易。但缺點是靈敏度低(0.4 ~ 0.7A/W),因為半導體材料的一部分面積被金屬電極占據(jù)了,所以有源區(qū)的面積減小了。

        3 單向載流子探測器(UTC-PD)

        按光的入射方式,探測器可以分為:面入射光電探測器 (a) , 如一般的PIN, 響應速度慢;邊耦合光電探測器 (c) ,如UTC-PD/TW-PD, 效應速度快。

        3.1面入射光電探測器

        在面入射光電探測器中,光從正面或背面入射到探測器的光吸收層中,產(chǎn)生電子空穴對,并激發(fā)價帶電子躍遷到導帶,產(chǎn)生光電流。所以,在面入射光電探測器中,光行進方向與載流子的渡越方向平行,如一般的PIN探測器。

        3.2邊入射光電探測器

        在邊耦合光電探測器中,光行進方向與載流子的渡越方向互相垂直;很好地解決了吸收效率和電學帶寬之間對吸收區(qū)厚度要求的矛盾。邊耦合探測器比面入射探測器可以獲得更高的3dB響應帶寬。

        3.2.1波導探測器 (WD-PD)

        面入射光電探測器的固有弱點是量子效率和響應速度相互制約;一方面可以采用減小其結面積來提高它的響應速度,但是這會降低器件的耦合效率。另一方面也可以采用減小本征層(吸收層)的厚度來提高器件的響應速度。但是這會減小光吸收長度,降低內(nèi)量子效率,因此這些參數(shù)需折衷考慮。

        波導探測器正好解除了PIN探測器的內(nèi)量子效率和響應速度之間的制約關系,極大地改善了其性能,在一定程度上滿足了光通信對高性能探測器的要求。

        WG-PD的光吸收是沿波導方向進行的,其光吸收長度遠大于傳統(tǒng)型光電探測器。WG-PD的吸收長度是探測器波導的長度,一般可大于10m,而傳統(tǒng)型探測器的吸收長度是InGaAs本征層的厚度,僅為1m。所以WG-PD結構的內(nèi)量子效率高于傳統(tǒng)型結構PD的。

        另外,WG-PD還很容易與其他器件集成。但是,和面入射探測器相比,WD-PD的光耦合面積非常小,導致光耦合效率較低,同時也增加了和光纖耦合的難度。光垂直于電流方向入射到探測器的光波導中,然后在波導中傳播,傳播過程中光不斷被吸收,光強逐漸減弱,同時激發(fā)價帶電子躍遷到導帶,產(chǎn)生光生電子空穴對,實現(xiàn)了對光信號的探測。

        3.2.2行波探測器(TW-PD)

        行波探測器是在波導探測器的基礎上發(fā)展起來的,它的響應不受與有源面積有關的RC常數(shù)的限制;響應主要由光的吸收系數(shù)以及光的群速度和電的相速度不匹配決定。這種器件的長度遠大于吸收長度,但它的帶寬基本與器件長度無關,所以具有更大的響應帶寬積。然而這種器件不能得到較高的輸出電平值,難以實用化。

        參考文獻:

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