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      筆記本內(nèi)存選購竅門(2)

      時(shí)間: 小萌786 分享

        三、低壓內(nèi)存在什么平臺適用

        低壓內(nèi)存是從Haswell平臺開始大量出現(xiàn)的,可以工作在Haswell平臺以外的筆記本上,理論上Sandy Bridge(2011年發(fā)布,下文簡稱SNB,屬于二代智能酷睿處理器)和更老的Calpella(2010年發(fā)布,第一代智能酷睿處理器)平臺筆記本的1 .5V內(nèi)存插槽也能識別這種低壓版的內(nèi)存。而且DDR3L與標(biāo)準(zhǔn)的DDR3內(nèi)存互相兼容,可以混搭使用并正常工作在雙通道模式下。

        但需要注意的,DDR3L內(nèi)存普遍從單條4GB容量起步,甚至還有單條8GB的版本。但是,包括Calpella平臺在內(nèi)的老款筆記本(芯片組為HM55、GM45/PM45或更老),也就是2011年之前的機(jī)器最高僅支持單條4GB內(nèi)存。

        還有就是最新發(fā)布的Skylake-S僅支持DDR4以及DDR3L兩種內(nèi)存,不支持DDR3內(nèi)存了。大家在購買時(shí)需要了解自己的電腦平臺之后在進(jìn)行選擇購買。

        四、升級筆記本內(nèi)存如何選購

        打算升級筆記本內(nèi)存的朋友后,在購買的時(shí)候,要根據(jù)自己筆記本電腦內(nèi)存的實(shí)際情況,從以下幾個(gè)方面入手:

        主頻

        不同主頻的內(nèi)存插在一起,或者主板不支持的內(nèi)存會產(chǎn)生兼容性問題。

        容量

        理論上來說,容量是越大越好,但實(shí)際一般用戶使用4GB的內(nèi)存已經(jīng)綽綽有余。而且,32位的系統(tǒng)也只能支持到3.25GB的內(nèi)存容量,再大的系統(tǒng)就無法識別了。

        所以,要升級到4GB以上,就必須使用64位的系統(tǒng)了。如果需要查看自己電腦系統(tǒng)是32位還是64位,可以右擊桌面上的“計(jì)算機(jī)”,然后選擇“屬性”,打開“系統(tǒng)”窗口進(jìn)行查看。

        CL延遲

        CL反應(yīng)時(shí)間是衡量內(nèi)存性能的另一個(gè)標(biāo)志。指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需要的延長時(shí)間,簡單的說,就是內(nèi)存接到CPU指令后的反應(yīng)速度。一般參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小,代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。

        低壓內(nèi)存

        標(biāo)準(zhǔn)電壓處理器理論上對標(biāo)壓和低壓內(nèi)存都可以完美兼容,但考慮到不太大的性能差異以及低壓內(nèi)存良好的溫度表現(xiàn),建議優(yōu)先選擇低壓內(nèi)存進(jìn)行升級。

        容量方面建議4GB起步,頻率1600MHz最佳,畢竟當(dāng)下的應(yīng)用程序和操作系統(tǒng)對內(nèi)存容量的要求越來越高,雖然頻率的提升對性能的影響不大,但是價(jià)格相差不大的情況下買高頻率的顯然更劃算。

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