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      升級(jí)bios失敗后的解決方法步驟(3)

      時(shí)間: 春健736 分享

      升級(jí)bios失敗后的解決方法步驟

        一.SoftMenu Setup(軟超頻設(shè)置)

        其實(shí)這個(gè)Soft Menu Setup,是升技主板獨(dú)有的技術(shù),這里提供了豐富的CPU外頻、倍頻調(diào)節(jié)(需要CPU支持)、AGP/PCI總線頻率以及CPU/內(nèi)存/AGP的電壓調(diào) 節(jié)頻率等等。這個(gè)項(xiàng)目相當(dāng)于一些主板中的“Frequency/Voltage Control”

        前面是CPU的一些基本信息顯示,下面的選項(xiàng)就是CPU超頻的主要選項(xiàng)了!

        1、CPU Operating Speed(CPU外頻設(shè)置):

        這個(gè)項(xiàng)目根據(jù)你所使用的處理器型式以及速度來(lái)顯示該處理器的運(yùn)作速度,您可以選擇[User Define](使用者設(shè)定)的選項(xiàng)來(lái)手動(dòng)輸入其運(yùn)作速度。 如圖:

        好了,到了這里我就先放下Bios的設(shè)置引導(dǎo)了,在教大家超頻之前先向大家解釋一下什么叫超頻以及超頻的原理吧,這樣才能讓你能更好的進(jìn)入下一步Bios設(shè)置超頻!

        CPU 超頻,它的主要目的是為了提高CPU的工作頻率,也就是CPU的主頻。而CPU的主頻又是外頻(FSB)和倍頻(Multiplier Factor)的乘積。例如一塊CPU的外頻為200MHz,倍頻為10,可以計(jì)算得到它的主頻=外頻×倍頻=200MHz×10 = 2000MHz,即2.0GHz。

        提升CPU的主頻可以通過(guò)改變CPU的倍頻或者外頻來(lái)實(shí)現(xiàn)。但如果使用的是Intel CPU,你盡可以忽略倍頻,因?yàn)镮ntelCPU使用了特殊的制造工藝來(lái)阻止修改倍頻。但是有一部分Intel的工程樣品是沒(méi)有鎖定倍頻額,AMD的 CPU可以修改倍頻。雖然提升CPU的外頻或者倍頻都可以使CPU達(dá)到同樣的頻率,比如一顆2.0GHz的CPU,它用200*10=2.0,我們可以把 倍頻提升到20,而把FSB降到100MHz,或者可以把FSB提升到250,而把倍頻降低到8。這兩個(gè)方法都可以使主頻達(dá)到2.0G,但是他們所得到的性能是不一樣的。因?yàn)橥忸l(FSB)是系統(tǒng)用來(lái)與處理器通信的通道,應(yīng)該讓它盡可能的提高。所以如果把FSB降到100MHz而把倍頻提高到20的話,依然會(huì)有2.0GHz的時(shí)鐘頻率,但是系統(tǒng)的其余部分與處理器通信將會(huì)比以前慢得多,導(dǎo)致系統(tǒng)性能的損失,因此,如果用戶(hù)的CPU可以降低倍頻,不妨試一試!

        外頻的速度通常與前端總線、內(nèi)存的速度緊密關(guān)聯(lián)。因此當(dāng)你提升了CPU外頻之后,CPU、系統(tǒng)和內(nèi)存的性能也同時(shí)提升,這就是為什么DIYer喜歡超頻的原因了。

        好了,言歸正傳,繼續(xù)Bios設(shè)置,在你選擇“CPU Operating Speed”中的“Use Defined”選項(xiàng)后,你會(huì)看到以前不可以選的CPU選項(xiàng)現(xiàn)在已經(jīng)可以進(jìn)行設(shè)置了!

        這就是外頻調(diào)節(jié)設(shè)置選項(xiàng),手動(dòng)輸入想設(shè)置成的CPU外頻數(shù)值,在此允許輸入數(shù)值范圍在100-412之間,可以以每1MHz的頻率提高進(jìn)行線性超頻,最大限 度的挖掘CPU的潛能。一般上CPU的外頻在100至250左右較為正常,一般不會(huì)超過(guò)300MHz,所以用戶(hù)千萬(wàn)不要一次性把外頻調(diào)到最高,原則上來(lái) 講,第一次超頻CPU因?yàn)椴磺宄﨏PU究竟可以在多高的外頻下工作,因此設(shè)置外頻的數(shù)值可以以三至五兆赫茲為臺(tái)階提高來(lái)慢慢試驗(yàn),在此為了示范,直接將外 頻設(shè)置成了133MHz這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)外頻,設(shè)置了正確的外頻數(shù)字以后再按回車(chē)鍵確定。

        如果CPU的倍頻沒(méi)有被鎖定的話,拉么在Ext.Clock(CPU/AGP/PCI)菜單下會(huì)顯示有一個(gè)Multiplier Factor(倍頻設(shè)置)選項(xiàng)這個(gè)項(xiàng)目選擇CPU的倍頻數(shù)。

        2、Estimated New CPU clock:

        這個(gè)項(xiàng)目顯示前兩項(xiàng) [Ext. Clock] 與 [Multiplier Factor] 的頻率總和。

        3、N/B Strap CPU As:

        這個(gè)部份可以設(shè)定指定給MCH (內(nèi)存控制器)的前端總線。選項(xiàng)有:[PSB400]、[PSB533]、[PSB800]、以及 [By CPU]。默認(rèn)值是 [By CPU].

        若要手動(dòng)設(shè)定這個(gè)部份:

        若CPU的頻率為100MHz FSB,則可選擇 [PSB400]。

        若CPU的頻率為133MHz FSB,則可選擇 [PSB533]。

        若CPU的頻率為200MHz FSB,則可選擇 [PSB800]。

        4、DRAM Ratio (CPU:DRAM):

        這個(gè)部份可以決定CPU和DRAM之間的頻率比。

        說(shuō)到這里,又得跟大家解釋一下CPU與內(nèi)存的關(guān)系了,內(nèi)存的工作頻率是由外頻(FSB)決定的,因此我們?cè)趯?duì)CPU超頻的同時(shí)就給內(nèi)存也增加了運(yùn)行頻率,設(shè)置外頻與內(nèi)存總線頻率的比值。如果你使用的是DDR333內(nèi)存,它的標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)行頻率可以達(dá)到166MHz,由于剛才我們已經(jīng)把外頻設(shè)置成了133MHz,因此在此可以選擇“4:5”,讓內(nèi)存也運(yùn)行在最高的頻率。

        5、Fixed AGP/PCI Frequency:

        此項(xiàng)目可用來(lái)決定AGP/PCI總線的頻率,此選項(xiàng)允許你維持您的AGP/PCI頻率在一些固定的頻率上,以增進(jìn)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

        6、CPU Power Supply:

        此選項(xiàng)允許用戶(hù)在處理器預(yù)設(shè)電壓數(shù)值和使用者定義電壓數(shù)值之間做切換,請(qǐng)不要隨意去變動(dòng)此預(yù)設(shè)電壓數(shù)值,除非你有一定的調(diào)節(jié)經(jīng)驗(yàn),選擇「User Define」選項(xiàng)后“CPU Core Voltage ”就可以選擇CPU核心所使用的電壓可讓您以手動(dòng)的方式來(lái)選擇處理器的核心電壓數(shù)值。

        這里介紹一下CPU核心電壓,P4 CPU的額定核心工作電壓為1.5V,通常不超過(guò)1.65V的電壓都是安全的,當(dāng)然超頻提高電壓是要在保證穩(wěn)定工作的前提下,盡可能的少加電壓,這是從散熱方面考慮為了將CPU的溫度盡可能的控制在低水平下。電壓也可以一點(diǎn)一點(diǎn)兒的逐漸嘗試提高,不必急于一步到位,在此我們先選擇1.55V嘗試一下。請(qǐng)注意超過(guò)1.70V的電壓對(duì)于北木核心的P4來(lái)說(shuō)都是危險(xiǎn)的,有可能會(huì)燒壞CPU,因此電壓不宜加的過(guò)高!

        7、DDR SDRAM Voltage:

        這個(gè)部份可以選擇DRAM插槽工作電壓。

        就是來(lái)提高給DDR內(nèi)存供電的電壓,DIMM模組的默認(rèn)電壓為2.5V,如果內(nèi)存品質(zhì)不好,或是超頻了內(nèi)存,那么可以適當(dāng)提高一點(diǎn)內(nèi)存電壓,加壓幅度盡量不要超過(guò)0.5V,不然則有可能會(huì)損壞內(nèi)存!

        最后,在這里面還可以看到給AGP顯示卡提高工作電壓的選項(xiàng),如果你超頻是為標(biāo)準(zhǔn)外頻,也讓顯示卡超頻工作了的話,那么可以考慮適當(dāng)提高一些AGP的電壓,AGP默認(rèn)電壓為1.5V。

        好了,說(shuō)了這么多的超頻的Bios設(shè)置后,繼續(xù)說(shuō)明其他選項(xiàng)的Bios設(shè)置,當(dāng)然,一下內(nèi)容中同樣也有關(guān)于優(yōu)化超頻的說(shuō)明!

        二.Standard CMOS Features(標(biāo)準(zhǔn)CMOS參數(shù)設(shè)定)

        這里就不用多講了!想必大家都能看懂!下面是“IDE設(shè)備設(shè)置”里面的選項(xiàng)解釋?zhuān)话悴挥糜脩?hù)設(shè)置,保持默認(rèn)的就可以了!

        三.Advanced BIOS Features(BIOS進(jìn)階功能設(shè)定)

        1.Quick Power On Self Test(快速啟動(dòng)選擇):

        當(dāng)設(shè)定為[Enabled](啟動(dòng))時(shí),這個(gè)項(xiàng)目在系統(tǒng)電源開(kāi)啟之后,可加速POST(Power On Self Test)的程序。BIOS會(huì)在POST過(guò)程當(dāng)中縮短或是跳過(guò)一些檢查項(xiàng)目,從而加速啟動(dòng)等待的時(shí)間!

        2.Hard Disk Boot Priority(硬盤(pán)引導(dǎo)順序):

        此項(xiàng)目可選擇硬盤(pán)開(kāi)機(jī)的優(yōu)先級(jí),按下的按鍵,你可以進(jìn)入它的子選單,它會(huì)顯示出已偵測(cè)到可以讓您選擇開(kāi)機(jī)順序的硬盤(pán),以用來(lái)啟動(dòng)系統(tǒng)。當(dāng)然,這個(gè)選項(xiàng)要在你安裝了兩塊或者兩塊以上的系統(tǒng)才能選擇!

        3. HDD Change Message:

        當(dāng)設(shè)定為[Enabled](啟動(dòng))時(shí),如果你的系統(tǒng)中所安裝的硬盤(pán)有更動(dòng),在POST的開(kāi)機(jī)過(guò)程中,屏幕會(huì)出現(xiàn)一道提示訊息。

        4. First Boot Device / Second Boot Device / Third Boot Device / Boot Other Device:

        在[First Boot Device]、[Second Boot Device]以及[Third Boot Device]的項(xiàng)目當(dāng)中選擇要做為第一、第二以及第三順序開(kāi)機(jī)的裝置。BIOS將會(huì)依據(jù)你所選擇的開(kāi)機(jī)裝置,依照順序來(lái)啟動(dòng)操作系統(tǒng)!其中可以選擇的設(shè) 備根據(jù)你安裝的設(shè)備而定!

        四.Advanced Chipset Features(芯片組設(shè)定)

        芯片組設(shè)定也是Bios設(shè)置里面的一個(gè)重點(diǎn)設(shè)置,這里就詳細(xì)說(shuō)明一下!

        1.DRAM Timing Selectable(內(nèi)存參數(shù)設(shè)置選項(xiàng)):

        這 個(gè)項(xiàng)目會(huì)視內(nèi)存模塊的不同,為接下來(lái)四個(gè)項(xiàng)目設(shè)定最佳的計(jì)時(shí)方式。默認(rèn)值為「By SPD」。這個(gè)默認(rèn)值會(huì)讀取SPD (Serial Presence Detect) 裝置的內(nèi)容,并且依據(jù)SPD內(nèi)容設(shè)定這四個(gè)項(xiàng)目。內(nèi)存模塊上的EEPROM (只讀存儲(chǔ)器) 儲(chǔ)存有關(guān)模塊的重要參數(shù)信息,例如內(nèi)存類(lèi)型、大小、速度、電壓接口及模塊儲(chǔ)存區(qū)域。

        2.CAS Latency Time:

        這 個(gè)項(xiàng)目可控制DRAM讀取指令與數(shù)據(jù)成為真正可用的時(shí)間之間的延遲時(shí)間。較低的CAS周期能減少內(nèi)存的潛伏周期以提高內(nèi)存的工作效率。因此只要能夠穩(wěn)定運(yùn) 行操作系統(tǒng),我們應(yīng)當(dāng)盡量把CAS參數(shù)調(diào)低,從而提高內(nèi)存的運(yùn)行速度。反過(guò)來(lái),如果內(nèi)存運(yùn)行不穩(wěn)定,可以將此參數(shù)設(shè)大,以提高內(nèi)存穩(wěn)定性。

        3. Act to Precharge Delay:

        這個(gè)項(xiàng)目控制了給DRAM參數(shù)使用之DRAM頻率的數(shù)值。同理,數(shù)值小性能高,但是對(duì)內(nèi)存的質(zhì)量也要求嚴(yán)格!

        4.DRAM RAS# to CAS# Delay:

        這個(gè)項(xiàng)目可控制DRAM作用指令與讀取/寫(xiě)入指令之間的延遲時(shí)間,有2,3,4幾種選擇。數(shù)值越小,性能越好。

        5. DRAM RAS# Precharge:

        這個(gè)項(xiàng)目是用來(lái)控制當(dāng)預(yù)充電(precharge)指令送到DRAM之后,頻率等待啟動(dòng)的等待時(shí)間。預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫(xiě)速度就越快。

        以上的內(nèi)存參數(shù)設(shè)置一般可以不動(dòng)!讓默認(rèn)的就可以了,但是超頻玩者是肯定不會(huì)放過(guò)任何可以提高性能的東西的,所以如果你想在這里讓你的電腦提升一點(diǎn)性能的話,就必須慢慢試驗(yàn),選擇一個(gè)適當(dāng)?shù)膮?shù)才能讓你的計(jì)算機(jī)達(dá)到性能和穩(wěn)定的最佳狀態(tài)!

        6.Video BIOS Cacheable(影像快取):

        如同系統(tǒng)BIOS的快取功能,啟用影像BIOS的快取功能將允許存取影像BIOS自C0000H到C7FFFH具有快取功能,如果快取控制器也被啟用。高速緩存的大小愈大,影像效能將會(huì)更快速。


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