晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件，下面是學(xué)習(xí)啦小編帶來(lái)的關(guān)于cpu有多少晶體管的內(nèi)容，歡迎閱讀!

　　cpu有多少晶體管：

　　1972年，英特爾發(fā)布了第一個(gè)8位處理器8008。1978年，英特爾發(fā)布了第一款16位處理器8086。含有2.9萬(wàn)個(gè)晶體管。1978年：英特爾標(biāo)志性地把英特爾8088微處理器銷(xiāo)售給IBM新的個(gè)人電腦事業(yè)部，武裝了IBM新產(chǎn)品IBM PC的中樞大腦。16位8088處理器為8086的改進(jìn)版，含有2.9萬(wàn)個(gè)晶體發(fā)布英特爾酷睿i7處理器管，運(yùn)行頻率為5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推動(dòng)英特爾進(jìn)入了財(cái)富(FORTUNE) 500強(qiáng)企業(yè)排名，《財(cái)富(FORTUNE)》雜志將英特爾公司評(píng)為“70年代商業(yè)奇跡之一(Business Triumphs of the Seventies)”。

　　1982年：286微處理器(全稱(chēng)80286，意為“第二代8086”)推出，提出了指令集概念，即現(xiàn)在的x86指令集，可運(yùn)行為英特爾前一代產(chǎn)品所編寫(xiě)的所有軟件。286處理器使用了13400個(gè)晶體管，運(yùn)行頻率為6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。1985年：英特爾386微處理器問(wèn)世，含有27.5萬(wàn)個(gè)晶體管，是最初4004晶體管數(shù)量的100多倍。386是32位芯片，具備多任務(wù)處理能力，即它可在同一時(shí)間運(yùn)行多個(gè)程序。

　　1993年：英特爾·奔騰·處理器問(wèn)世，含有3百萬(wàn)個(gè)晶體管，采用英特爾0.8微米制程技術(shù)生產(chǎn)。1999年2月：英特爾發(fā)布了奔騰·III處理器。奔騰III是1x1正方形硅，含有950萬(wàn)個(gè)晶體管，采用英特爾0.25微米制程技術(shù)生產(chǎn)。2002年1月：英特爾奔騰4處理器推出，高性能桌面臺(tái)式電腦由此可實(shí)現(xiàn)每含30億晶體管的GF110核心秒鐘22億個(gè)周期運(yùn)算。它采用英特爾0.13微米制程技術(shù)生產(chǎn)，含有5500萬(wàn)個(gè)晶體管。

　　2002年8月13日：英特爾透露了90納米制程技術(shù)的若干技術(shù)突破，包括高性能、低功耗晶體管，應(yīng)變硅，高速銅質(zhì)接頭和新型低-k介質(zhì)材料。這是業(yè)內(nèi)首次在生產(chǎn)中采用應(yīng)變硅。2003年3月12日：針對(duì)筆記本的英特爾·迅馳·移動(dòng)技術(shù)平臺(tái)誕生，包括了英特爾最新的移動(dòng)處理器“英特爾奔騰M處理器”。該處理器基于全新的移動(dòng)優(yōu)化微體系架構(gòu)，采用英特爾0.13微米制程技術(shù)生產(chǎn)，包含7700萬(wàn)個(gè)晶體管。

　　2005年5月26日：英特爾第一個(gè)主流雙核處理器“英特爾奔騰D處理器”誕生，含有2.3億個(gè)晶體管，采用英特爾領(lǐng)先的90納米制程技術(shù)生產(chǎn)。2006年7月18日：英特爾安騰2雙核處理器發(fā)布，采用世界最復(fù)雜的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，含有2.7億個(gè)晶體管。該處理器采用英特爾90納米制程技術(shù)生產(chǎn)。2006年7月27日：英特爾·酷睿2雙核處理器誕生。該處理器含有2.9億多個(gè)晶體管，采用英特爾65納米制程技術(shù)在世界最先進(jìn)的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn)。

　　2006年9月26日：英特爾宣布，超過(guò)15種45納米制程產(chǎn)品正在開(kāi)發(fā)，面向臺(tái)式機(jī)、筆記本和企業(yè)級(jí)計(jì)算市場(chǎng)，研發(fā)代碼Penryn，是從英特爾酷睿微體系架構(gòu)派生而出。2007年1月8日：為擴(kuò)大四核PC向主流買(mǎi)家的銷(xiāo)售，英特爾發(fā)布了針對(duì)桌面電腦的65納米制程英特爾酷睿2四核處理器和另外兩款四核服務(wù)器處理器。英特爾酷睿2四核處理器含有5.8億多個(gè)晶體管。

　　制作：光刻蝕 這是目前的CPU制造過(guò)程當(dāng)中工藝非常復(fù)雜的一個(gè)步驟，為什么這么說(shuō)呢?光刻蝕過(guò)程就是使用一定波長(zhǎng)的光在感光層中刻出相應(yīng)的刻痕，由此改變?cè)撎幉牧系幕瘜W(xué)特性。這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于所用光的波長(zhǎng)要求極為嚴(yán)格，需要使用短波長(zhǎng)的紫外線和大曲率的透鏡。刻蝕過(guò)程還會(huì)受到晶圓上的污點(diǎn)的影響。每一步刻蝕都是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過(guò)程。設(shè)計(jì)每一步過(guò)程的所需要的數(shù)據(jù)量都可以用10GB的單位來(lái)計(jì)量，而且制造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過(guò)20步(每一步進(jìn)行一層刻蝕)。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個(gè)紐約市外加郊區(qū)范圍的地圖相比，甚至還要復(fù)雜，試想一下，把整個(gè)紐約地圖縮小到實(shí)際面積大小只有100個(gè)平方毫米的芯片上，那么這個(gè)芯片的結(jié)構(gòu)有多么復(fù)雜，可想而知了吧。

　　當(dāng)這些刻蝕工作全部完成之后，晶圓被翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)。短波長(zhǎng)光線透過(guò)石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然后撤掉光線和模板。通過(guò)化學(xué)方法除去暴露在外邊的感光層物質(zhì)，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。 摻雜 在殘留的感光層物質(zhì)被去除之后，剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來(lái)的在該層下方的硅層。這一步之后，另一個(gè)二氧化硅層制作完成。然后，加入另一個(gè)帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門(mén)電路的另一種類(lèi)型。由于此處使用到了金屬原料(因此稱(chēng)作金屬氧化物半導(dǎo)體)，多晶硅允許在晶體管隊(duì)列端口電壓起作用之前建立門(mén)電路。感光層同時(shí)還要被短波長(zhǎng)光線透過(guò)掩模刻蝕。再經(jīng)過(guò)一部刻蝕，所需的全部門(mén)電路就已經(jīng)基本成型了。然后，要對(duì)暴露在外的硅層通過(guò)化學(xué)方式進(jìn)行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個(gè)摻雜過(guò)程創(chuàng)建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，沒(méi)個(gè)晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱(chēng)作端口。