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      內(nèi)存有什么分類

      時(shí)間: 春健736 分享

      內(nèi)存有什么分類

        內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣,習(xí)慣上被用來(lái)表示內(nèi)存的速度,它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz(兆赫)為單位來(lái)計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。那么內(nèi)存的分類是什么?下面跟著學(xué)習(xí)啦小編一起來(lái)了解下吧。

        內(nèi)存有什么分類

        內(nèi)存其實(shí)是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入/輸出和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能的集成電路。按照其工作原理可分為RAM和ROM兩大類;從功能的角度,又可以分為主存儲(chǔ)器、高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)和BIOS存儲(chǔ)器三種。

        按工作原理分類

        按照內(nèi)存的工作原理可將內(nèi)存分為RAM和ROM兩大類。下面分別進(jìn)行介紹。

        (1)RAM

        RAM(RandomAccessMemory,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)的內(nèi)容可以通過(guò)指令隨機(jī)讀寫訪問(wèn)。RAM由半導(dǎo)體存儲(chǔ)器組成,當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行時(shí),將所需的指令和數(shù)據(jù)從外部存儲(chǔ)器(如硬盤、軟盤、光盤等)調(diào)入內(nèi)存,CPU再?gòu)膬?nèi)存中讀取指令或數(shù)據(jù)進(jìn)行處理,并將結(jié)見(jiàn)存入內(nèi)存,所以RAM既能讀又能寫。RAM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在關(guān)機(jī)或斷電后將自動(dòng)丟失,因而只能在開(kāi)機(jī)運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)數(shù)裾。RAM又分靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM、動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM和磁性內(nèi)存MRAM三種。

        ©SRAM

        SRAM以雙穩(wěn)態(tài)電路形式存儲(chǔ)數(shù)據(jù),這種電路可視為一個(gè)開(kāi)關(guān),對(duì)應(yīng)兩個(gè)狀態(tài)1和0。由于開(kāi)關(guān)的轉(zhuǎn)換由電路控制,所以只要電路不動(dòng),狀態(tài)就不會(huì)改變。由于SRAM集成度低、體積大和造價(jià)高,從成本和體積考慮,內(nèi)存不宜全部采用SRAM,但由于晶體管的開(kāi)關(guān)速度很快,因此SRAM的讀巧速度也很快,通常將其作為Cache。

        ②DRAM

        DRAM通過(guò)MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)電容存儲(chǔ)電荷來(lái)儲(chǔ)存信息,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、集成度高、功耗低、體積小、生產(chǎn)成本低、便于大容量制造的特點(diǎn),在計(jì)算機(jī)主存儲(chǔ)器中得以大量應(yīng)用。

        常見(jiàn)的DRAM內(nèi)存根椐制造工藝和性能參數(shù)等各方面的差異,可分為以下幾種。

        •SDRAM(Synchronous Dynamic RAM,即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器):采用同步技術(shù),工作頻率與系統(tǒng)的外頻相同,因此在一定程序上提高了性能。隨著其他硬件能力的快速提高,SDRAM逐漸暴露出其弱點(diǎn),因此將被DDRSDRAM所取代(如圖1所示為SDRAM內(nèi)存)。

        •DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM,即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器):習(xí)慣上稱之為DDR,其核心建立在SDRAM的基礎(chǔ)之上,只是在速率和容量上有所提高。DDR本質(zhì)上并沒(méi)有提髙時(shí)鐘頻率,但是它可以在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿同時(shí)傳輸數(shù)據(jù),因此其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍(如圖2所示為DDRSDRAM內(nèi)存)。

        •DDR-II:DDR-II內(nèi)存是DDR-1內(nèi)存的換代產(chǎn)品,DDR-1I內(nèi)存最早出現(xiàn)在高端顯卡上,因?yàn)槠反鎸?duì)傳輸帶寬的需求比較高,因此使用了這種能夠提供更高帶寬的內(nèi)存。DDR-II和DDR—樣,采用了在時(shí)鐘的上升沿和下降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?,但DDR-II內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取,是標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的兩倍,這就意味著,DDR-II比DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)數(shù)據(jù)速度高兩倍。DDR-II內(nèi)存頻率從533MHz開(kāi)始,現(xiàn)在主要有533/667/800MHZ三類產(chǎn)品。DDR-II采用240線DIMM接口標(biāo)準(zhǔn),因此完全不兼容DDR的184線DIMM接口標(biāo)準(zhǔn),現(xiàn)有DDR標(biāo)準(zhǔn)接口的主板無(wú)法使用DDR-II內(nèi)存(如圖3所示為DDR-II內(nèi)存)。

        (2)ROM

        ROM(Read Only Memory,只讀存儲(chǔ)器),是一種半導(dǎo)體電路,通過(guò)掩模藝一次件制造,使用時(shí)只能從中讀取信息而不能寫入信息。ROM的特點(diǎn)是價(jià)格高并且容最小,但由于其與有斷電后數(shù)據(jù)可保持不變的優(yōu)點(diǎn),常用于存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù),例如,主板上保存BIOS程序的芯片就是ROM存儲(chǔ)器。

        ROM存儲(chǔ)器可分為四種,即普通ROM、EPROM、EEPROM和Flash Memory。早期主板上的BIOS使用的是普通ROM,只能一次性寫入,其中的內(nèi)容不可改變。其后BIOS使用EPROM制造,即可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器。這種ROM使用紫外線掃描的方法擦除和改寫其中的信息。而后開(kāi)始使用EEPROM制造,即電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器。這種ROM可以用電子掃描的方法來(lái)改變存儲(chǔ)器中的內(nèi)容。目前,主板上的BIOS多使用Flash Memory制造,簡(jiǎn)稱閃存,這種存儲(chǔ)器可以直接通過(guò)調(diào)節(jié)主板上的電壓來(lái)對(duì)BIOS進(jìn)行升級(jí)操作。

        £按功能分類

        內(nèi)存儲(chǔ)器從功能上可分為主存儲(chǔ)器、Cache和BIOS存儲(chǔ)器。

        •主存儲(chǔ)器:是內(nèi)存中最主要和容量最入的存儲(chǔ)器。它用來(lái)存儲(chǔ)計(jì)箅機(jī)運(yùn)行過(guò)程中的程序和數(shù)據(jù),因此其容量越大越好。

        •Cache:商速緩沖存儲(chǔ)器,它是位于CPU和主存儲(chǔ)器之間并且容量較小,但速度很快的存儲(chǔ)器。由于CPU運(yùn)算速度要比內(nèi)存讀寫速度快很多,閃此如果CPU直接從內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)或把數(shù)據(jù)寫入內(nèi)存時(shí)則會(huì)花費(fèi)大最時(shí)間,而系統(tǒng)可以把正在執(zhí)行的指令地址附近的一部分指令或這者數(shù)據(jù)從主存調(diào)入Cache,供CPU在一段時(shí)間內(nèi)使用,這樣就能相對(duì)提高CPU的運(yùn)箅速度。

        隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展,CPU芯片中也集成了Cache,稱為L(zhǎng)I Cache(一級(jí)緩存),其速度高,容量小,一般僅為兒百KB;安裝于主板上的Cache則稱為L(zhǎng)2 Cache(二級(jí)緩存),有較大的容量,從256KB到2MB不等;Pentium II以后的CPU則將L2 Cache與CPU內(nèi)核一起封裝在一只金屬盒內(nèi),或荇直接把L2Cache集成到CPU芯片內(nèi)(如Celeron CPU),進(jìn)而提高速度,因此卞板上的Cache就稱為L(zhǎng)3 Cache(三級(jí)緩存)。

        •BIOS存儲(chǔ)器:它是用來(lái)存放BIOS(基木輸入/輸出系統(tǒng))程序的存儲(chǔ)器,如圖4所示。由于BIOS中的數(shù)據(jù)和程序非常重要,不允許修改,因此一般情況下都采用ROM型存儲(chǔ)器芯片。

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