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      人教版高中化學(xué)選修三知識(shí)點(diǎn)

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      人教版高中化學(xué)選修三知識(shí)點(diǎn)

      人教版高中化學(xué)選修三知識(shí)1

      原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

      1、電子云:用小黑點(diǎn)的疏密來(lái)描述電子在原子核外空間出現(xiàn)的機(jī)會(huì)大小所得的圖形叫電子云圖。離核越近,電子出現(xiàn)的機(jī)會(huì)大,電子云密度越大;離核越遠(yuǎn),電子出現(xiàn)的機(jī)會(huì)小,電子云密度越小。

      2、電子層(能層):根據(jù)電子的能量差異和主要運(yùn)動(dòng)區(qū)域的不同,核外電子分別處于不同的電子層.原子由里向外對(duì)應(yīng)的電子層符號(hào)分別為K、L、M、N、O、P、Q.

      3、原子軌道(能級(jí)即亞層):處于同一電子層的原子核外電子,也可以在不同類型的原子軌道上運(yùn)動(dòng),分別用s、p、d、f表示不同形狀的軌道,s軌道呈球形、p軌道呈紡錘形,d軌道和f軌道較復(fù)雜.各軌道的伸展方向個(gè)數(shù)依次為1、3、5、7。

      4、原子核外電子的運(yùn)動(dòng)特征可以用電子層、原子軌道(亞層)和自旋方向來(lái)進(jìn)行描述.在含有多個(gè)核外電子的原子中,不存在運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全相同的兩個(gè)電子。

      5、原子核外電子排布原理:

      (1)能量最低原理:電子先占據(jù)能量低的軌道,再依次進(jìn)入能量高的軌道;

      (2)泡利不相容原理:每個(gè)軌道最多容納兩個(gè)自旋狀態(tài)不同的電子;

      (3)洪特規(guī)則:在能量相同的軌道上排布時(shí),電子盡可能分占不同的軌道,且自旋狀態(tài)相同。

      洪特規(guī)則的特例:在等價(jià)軌道的全充滿(p6、d10、f14)、半充滿(p3、d5、f7)、全空時(shí)(p0、d0、f0)的狀態(tài),具有較低的能量和較大的穩(wěn)定性.如24Cr [Ar]3d54s1、29Cu [Ar]3d104s1

      6、根據(jù)構(gòu)造原理,基態(tài)原子核外電子的排布遵循圖⑴箭頭所示的順序。

      根據(jù)構(gòu)造原理,可以將各能級(jí)按能量的差異分成能級(jí)組如圖⑵所示,由下而上表示七個(gè)能級(jí)組,其能量依次升高;在同一能級(jí)組內(nèi),從左到右能量依次升高?;鶓B(tài)原子核外電子的排布按能量由低到高的順序依次排布。

      7、第一電離能:氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去1個(gè)電子,轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的能量叫做第一電離能。常用符號(hào)I1表示,單位為kJ/mol。

      (1)原子核外電子排布的周期性

      隨著原子序數(shù)的增加,元素原子的外圍電子排布呈現(xiàn)周期性的變化:每隔一定數(shù)目的元素,元素原子的外圍電子排布重復(fù)出現(xiàn)從ns1到ns2np6的周期性變化.

      (2)元素第一電離能的周期性變化

      隨著原子序數(shù)的遞增,元素的第一電離能呈周期性變化:

      ★同周期從左到右,第一電離能有逐漸增大的趨勢(shì),稀有氣體的第一電離能最大,堿金屬的第一電離能最小;

      ★同主族從上到下,第一電離能有逐漸減小的趨勢(shì)。

      說(shuō)明:

      ①同周期元素,從左往右第一電離能呈增大趨勢(shì)。電子亞層結(jié)構(gòu)為全滿、半滿時(shí)較相鄰元素要大即第 ⅡA 族、第 ⅤA 族元素的第一電離能分別大于同周期相鄰元素。Be、N、Mg、P

      ②元素第一電離能的運(yùn)用:

      a.電離能是原子核外電子分層排布的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

      b.用來(lái)比較元素的金屬性的強(qiáng)弱。I1越小,金屬性越強(qiáng),表征原子失電子能力強(qiáng)弱。

      (3)元素電負(fù)性的周期性變化

      元素的電負(fù)性:元素的原子在分子中吸引電子對(duì)的能力叫做該元素的電負(fù)性。

      隨著原子序數(shù)的遞增,元素的電負(fù)性呈周期性變化:同周期從左到右,主族元素電負(fù)性逐漸增大;同一主族從上到下,元素電負(fù)性呈現(xiàn)減小的趨勢(shì)。

      電負(fù)性的運(yùn)用:

      a.確定元素類型(一般>1.8,非金屬元素;<1.8,金屬元素)。

      b.確定化學(xué)鍵類型(兩元素電負(fù)性差值>1.7,離子鍵;<1.7,共價(jià)鍵)。

      c.判斷元素價(jià)態(tài)正負(fù)(電負(fù)性大的為負(fù)價(jià),小的為正價(jià))。

      d.電負(fù)性是判斷金屬性和非金屬性強(qiáng)弱的重要參數(shù)(表征原子得電子能力強(qiáng)弱)。

      8、化學(xué)鍵:相鄰原子之間強(qiáng)烈的相互作用?;瘜W(xué)鍵包括離子鍵、共價(jià)鍵和金屬鍵。

      9、離子鍵:陰、陽(yáng)離子通過(guò)靜電作用形成的化學(xué)鍵

      離子鍵強(qiáng)弱的判斷:離子半徑越小,離子所帶電荷越多,離子鍵越強(qiáng),離子晶體的熔沸點(diǎn)越高。

      離子鍵的強(qiáng)弱可以用晶格能的大小來(lái)衡量,晶格能是指拆開(kāi)1mol離子晶體使之形成氣態(tài)陰離子和陽(yáng)離子所吸收的能量。晶格能越大,離子晶體的熔點(diǎn)越高、硬度越大。

      離子晶體:通過(guò)離子鍵作用形成的晶體。

      典型的離子晶體結(jié)構(gòu):NaCl型和CsCl型.氯化鈉晶體中,每個(gè)鈉離子周圍有6個(gè)氯離子,每個(gè)氯離子周圍有6個(gè)鈉離子,每個(gè)氯化鈉晶胞中含有4個(gè)鈉離子和4個(gè)氯離子;氯化銫晶體中,每個(gè)銫離子周圍有8個(gè)氯離子,每個(gè)氯離子周圍有8個(gè)銫離子,每個(gè)氯化銫晶胞中含有1個(gè)銫離子和1個(gè)氯離子.

      人教版高中化學(xué)選修三知識(shí)2

      原子核外電子排布原理

      1.能層、能級(jí)與原子軌道

      (1)能層(n):在多電子原子中,核外電子的能量是不同的,按照電子的能量差異將其分成不同能層。通常用K、L、M、N……表示,能量依次升高。

      (2)能級(jí):同一能層里電子的能量也可能不同,又將其分成不同的能級(jí),通常用s、p、d、f等表示,同一能層里,各能級(jí)的能量按s、p、d、f的順序依次升高,即:E(s)<e(p)<e(d)<e(f)。< p="">

      (3)原子軌道:電子云輪廓圖給出了電子在核外經(jīng)常出現(xiàn)的區(qū)域。這種電子云輪廓圖稱為原子軌道。

      【特別提示】

      (1)任一能層的能級(jí)總是從s能級(jí)開(kāi)始,而且能級(jí)數(shù)等于該能層序數(shù)。

      (2)以s、p、d、f……排序的各能級(jí)可容納的最多電子數(shù)依次為1、3、5、7……的二倍。(3)構(gòu)造原理中存在著能級(jí)交錯(cuò)現(xiàn)象。由于能級(jí)交錯(cuò),3d軌道的能量比4s軌道的能量高,排電子時(shí)先排4s軌道再排3d軌道,而失電子時(shí),卻先失4s軌道上的電子。

      (4)前四周期的能級(jí)排布(1s、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p)。第一能層(K),只有s能級(jí);第二能層(L),有s、p兩種能級(jí),p能級(jí)上有三個(gè)原子軌道px、py、pz,它們具有相同的能量;第三能層(M),有s、p、d三種能級(jí)。

      (5)當(dāng)出現(xiàn)d軌道時(shí),雖然電子按ns,(n-1)d,np順序填充,但在書寫電子排布式時(shí),仍把(n-1)d放在ns前。

      (6)在書寫簡(jiǎn)化的電子排布式時(shí),并不是所有的都是[X]+價(jià)電子排布式(注:X代表上一周期稀有氣體元素符號(hào))。

      2.基態(tài)原子的核外電子排布

      (1)能量最低原理

      電子盡可能地先占有能量低的軌道,然后進(jìn)入能量高的軌道,使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài)。如圖為構(gòu)造原理示意圖,即基態(tài)原子核外電子在原子軌道上的排布順序圖。

      注意:所有電子排布規(guī)則都需要滿足能量最低原理。

      (2)泡利原理

      每個(gè)原子軌道里最多只能容納2個(gè)電子,且自旋狀態(tài)相反。

      (3)洪特規(guī)則

      當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí),基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道,且自旋狀態(tài)相同。

      洪特規(guī)則特例:當(dāng)能量相同的原子軌道在全滿(p6、d10、f14)、半滿(p3、d5、f7)和全空(p0、d0、f0)狀態(tài)時(shí),體系的能量最低。

      3.基態(tài)、激發(fā)態(tài)及光譜示意圖

      (1)電子的躍遷

      ①基態(tài)→激發(fā)態(tài)

      當(dāng)基態(tài)原子的電子吸收能量后,會(huì)從低能級(jí)躍遷到較高能級(jí),變成激發(fā)態(tài)原子。

      ②激發(fā)態(tài)→基態(tài)

      激發(fā)態(tài)原子的電子從較高能級(jí)躍遷到低能級(jí)時(shí)會(huì)釋放出能量。

      (2)原子光譜

      不同元素的原子發(fā)生躍遷時(shí)會(huì)吸收或釋放不同的光,可以用光譜儀攝取各種元素原子的吸收光譜或發(fā)射光譜,總稱原子光譜。

      人教版高中化學(xué)選修三知識(shí)3

      原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì)

      1 . 原子結(jié)構(gòu)與元素周期表

      (1)原子結(jié)構(gòu)與元素周期表

      (2)每族元素的價(jià)層電子排布特點(diǎn)

      ①主族

      ②0族:He:1s2;其他ns2np6。

      ③過(guò)渡元素(副族和第Ⅷ族):(n-1)d1~10ns1~2。

      (3)元素周期表的分區(qū)

      ①根據(jù)核外電子排布

      a.分區(qū)

      b.各區(qū)元素化學(xué)性質(zhì)及原子最外層電子排布特點(diǎn)

      ②根據(jù)元素金屬性與非金屬性可將元素周期表分為金屬元素區(qū)和非金屬元素區(qū)(如下圖),處于金屬與非金屬交界線(又稱梯形線)附近的非金屬元素具有一定的金屬性,又稱為半金屬或準(zhǔn)金屬,但不能叫兩性非金屬。

      【特別提示】

      “外圍電子排布”即“價(jià)電子層”,對(duì)于主族元素,價(jià)電子層就是最外電子層,而對(duì)于過(guò)渡元素原子不僅僅是最外電子層,如Fe的價(jià)電子層排布為3d64s2。

      2 . 對(duì)角線規(guī)則

      在元素周期表中,某些主族元素與右下方的主族元素的有些性質(zhì)是相似的。

      3 . 元素周期律

      (1)原子半徑

      ①影響因素

      能層數(shù):能層數(shù)越多,原子半徑越大。

      核電荷數(shù):能層數(shù)相同,核電荷數(shù)越大,原子半徑越小。

      ②變化規(guī)律

      元素周期表中的同周期主族元素從左到右,原子半徑逐漸減小;同主族元素從上到下,原子半徑逐漸增大。

      (2)電離能

      ①第一電離能:氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,符號(hào):I1,單位:kJ/mol。

      ②規(guī)律

      a.同周期:第一種元素的第一電離能最小,最后一種元素的第一電離能最大,總體呈現(xiàn)從左至右逐漸增大的變化趨勢(shì)。

      b.同族元素:從上至下第一電離能逐漸減小。

      c.同種原子:逐級(jí)電離能越來(lái)越大(即I1<i2<i3…)。< p="">

      (3)電負(fù)性

      ①含義:元素的原子在化合物中吸引鍵合電子能力的標(biāo)度。元素的電負(fù)性越大,表示其原子在化合物中吸引鍵合電子的能力越強(qiáng)。

      ②標(biāo)準(zhǔn):以最活潑的非金屬氟的電負(fù)性為4.0作為相對(duì)標(biāo)準(zhǔn),計(jì)算得出其他元素的電負(fù)性(稀有氣體未計(jì))。

      ③變化規(guī)律

      金屬元素的電負(fù)性一般小于1.8,非金屬元素的電負(fù)性一般大于1.8,而位于非金屬三角區(qū)邊界的“類金屬”(如鍺、銻等)的電負(fù)性則在1.8左右。

      在元素周期表中,同周期從左至右,元素的電負(fù)性逐漸增大,同主族從上至下,元素的電負(fù)性逐漸減小。

      4 . 電離能、電負(fù)性的應(yīng)用

      (1)電離能的應(yīng)用

      ①判斷元素金屬性的強(qiáng)弱

      電離能越小,金屬越容易失去電子,金屬性越強(qiáng);反之越弱。

      ②判斷元素的化合價(jià)(I1、I2……表示各級(jí)電離能)

      如果某元素的In+1?In,則該元素的常見(jiàn)化合價(jià)為+n。如鈉元素I2?I1,所以鈉元素的化合價(jià)為+1。

      ③判斷核外電子的分層排布情況

      多電子原子中,元素的各級(jí)電離能逐級(jí)增大,有一定的規(guī)律性。當(dāng)電離能的變化出現(xiàn)突變時(shí),電子層數(shù)就可能發(fā)生變化。

      ④反映元素原子的核外電子排布特點(diǎn)

      同周期元素從左向右,元素的第一電離能并不是逐漸增大的,當(dāng)元素的核外電子排布是全空、半充滿和全充滿狀態(tài)時(shí),第一電離能就會(huì)反常的大。

      人教版高中化學(xué)選修三知識(shí)4

      共價(jià)鍵

      1.本質(zhì)

      在原子之間形成共用電子對(duì)(電子云的重疊)。

      2.特征

      具有飽和性和方向性。

      3.分類

      【特別提示】

      (1)只有兩原子的電負(fù)性相差不大時(shí),才能形成共用電子對(duì),形成共價(jià)鍵,當(dāng)兩原子的電負(fù)性相差很大(大于1.7)時(shí),不會(huì)形成共用電子對(duì),而形成離子鍵。

      (2)同種元素原子間形成的共價(jià)鍵為非極性鍵,不同種元素原子間形成的共價(jià)鍵為極性鍵。

      (3)在分子中,有的只存在極性鍵,如HCl、NH3等,有的只存在非極性鍵,如N2、H2等,有的既存在極性鍵又存在非極性鍵,如H2O2、C2H4等;有的不存在化學(xué)鍵,如稀有氣體分子。

      (4)在離子化合物中,一定存在離子鍵,有的存在極性共價(jià)鍵,如NaOH、Na2SO4等;有的存在非極性鍵,如Na2O2、CaC2等。

      (5)通過(guò)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)式,可以快速有效地判斷鍵的種類及數(shù)目;判斷成鍵方式時(shí),需掌握:共價(jià)單鍵全為σ鍵,雙鍵中有一個(gè)σ鍵和一個(gè)π鍵,三鍵中有一個(gè)σ鍵和兩個(gè)π鍵。

      4.鍵參數(shù)

      (1)概念

      (2)鍵參數(shù)對(duì)分子性質(zhì)的影響

      鍵能越大,鍵長(zhǎng)越短,分子越穩(wěn)定。

      5.等電子原理

      原子總數(shù)相同,價(jià)電子總數(shù)相同的分子具有相似的化學(xué)鍵特征,物理性質(zhì)相近,但化學(xué)性質(zhì)不同。

      常見(jiàn)的等電子體

      人教版高中化學(xué)選修三知識(shí)5

      分子的立體結(jié)構(gòu)

      1.價(jià)層電子對(duì)互斥理論

      (1)價(jià)層電子對(duì)在球面上彼此相距最遠(yuǎn)時(shí),排斥力最小,體系的能量最低。

      (2)孤電子對(duì)的排斥力較大,孤電子對(duì)越多,排斥力越強(qiáng),鍵角越小。

      (3)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推測(cè)分子的立體構(gòu)型的關(guān)鍵是判斷分子中中心原子上的價(jià)層電子對(duì)數(shù)。

      其中:a是中心原子的價(jià)電子數(shù)(陽(yáng)離子要減去電荷數(shù)、陰離子要加上電荷數(shù)),b是1個(gè)與中心原子結(jié)合的原子提供的價(jià)電子數(shù),x是與中心原子結(jié)合的原子數(shù)。

      (4)價(jià)層電子對(duì)互斥理論與分子構(gòu)型

      2 . 雜化軌道理論

      當(dāng)原子成鍵時(shí),原子的價(jià)電子軌道相互混雜,形成與原軌道數(shù)相等且能量相同的雜化軌道。雜化軌道數(shù)不同,軌道間的夾角不同,形成分子的空間結(jié)構(gòu)不同。

      3.配位鍵

      (1)孤電子對(duì)

      分子或離子中沒(méi)有跟其他原子共用的電子對(duì)稱孤電子對(duì)。

      (2)配位鍵

      ①配位鍵的形成:成鍵原子一方提供孤電子對(duì),另一方提供空軌道形成共價(jià)鍵。

      ②配位鍵的表示:常用“―→”來(lái)表示配位鍵,箭頭指向接受孤電子對(duì)的原子,如NH4+可表示如下,在NH4+中,雖然有一個(gè)N—H鍵形成過(guò)程與其他3個(gè)N—H鍵形成過(guò)程不同,但是一旦形成之后,4個(gè)共價(jià)鍵就完全相同。

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